主权项 |
1. 一种积体缓冲器电路,具有一个输入(IN)与一个 输出( OUT),另有一个设置在第一(VDD)与第二(接地)供应电 位 之间的串联电路(S),该串联电路(S)至少有一个与第 一供 应电位(VDD)连接的电压控制之定电流源(I)与一个 第一场 效电晶体(T1),第一场效电晶体(T1)的闸极则形成输 入( IN),串联电路(S)在定电流源(I)与第一场效电晶体(T1 ) 之间具有一个形成输出(OUT)的电路节点,定电流源( I)可 经由控制输入(G)以参考电位(Vref)来控制,此参考电 位( Vref)对第一供应电位(VDD)而言具有一个固定的电位 差, 其特征为:在第一(VDD)与第二(接地)供应电位之间 串联 配置一个与第一供应电位(DD)连接的电阻元件(R)、 一个 第一通道型式的第二场效电晶体(P2)与一个第二通 道型式 的第二场效电晶体(N2);在第一(VDD)与第二(接地)供 应 电位之间串联配置一个第一通道型式的第三场效 电晶体( P3)与一个第二通道型式的第三场效电晶体(N3);第 一通 道型式的第三场效电晶体(P3)的汲极与闸极互相连 接;第 二通道型式的第二场效电晶体(N2)的汲极与闸极互 相连接 ;第二通道型式的第二(N2)与第三(N3)场效电晶体的 闸极 互相连接;第一通道型式的第二(P2)与第三(P3)场效 电晶 体的闸极互相连接且和控制输入(G)连接。2. 如申 请专利范围第1项的积体缓冲器电路,其中控制输 入(G)不是和第一通道型式的第二(P2)与第三(P3)场 效电 晶体的闸极连接,而是和第二通道型式的第二(N2) 与第三 (N3)场效电晶体的闸极连接。3. 如申请专利范围第 1项的积体缓冲器电路,其中定电流 源(I)具有一个第一通道型式的第四场效电晶体(P4) ,其 闸极是输入(G)。4. 如申请专利范围第3项的积体缓 冲器电路,其中第一通 道型式就是p型通道,且第一通道型式的第四场效 电晶体( P4)的源极与第一供应电位(VDD)连接。5. 如申请专 利范围第1至第4项中任一项的积体缓冲器电 路,其中在电阻元件(R)与第一供应电位(VDD)之间设 置有 一个第一通道型式的第五场效电晶体(P5);在第一 通道型 式的第三场效电晶体(P3)与第一供应电位(VDD)之间 设置 一个第一通道型式的第六场效电晶体(P6);第一通 道型式 的第五(P5)与第六(P6)场效电晶体的闸极互相连接; 第一 通道型式的第六场效电晶体(P6)的闸极与汲极互相 连接。6. 如申请专利范围第1至第4项中任一项的 积体缓冲器电 路,其中在电阻元件(R)与第一供应电位(VDD)之间配 置有 一个第一通道型式的第五场效电晶体(P5);在第一 通道型 式的第三场效电晶体(P3)与第一供应电位(VDD)之间 配置 有一个第一通道型式的第六场效电晶体(P6);第一 通道型 式的第五(P5)与第六(P6)场效电晶体的闸极互相连 接;第 一通道型式的第五场效电晶体(P5)的闸极与汲极互 相连接 。7. 如申请专利范围第1至第4项中任一项的积体 缓冲器电 路,其中在电阻元件(R)与第一供应电位(VDD)之间配 置有 一个第一通道型式的第五场效电晶体(P5);在第一 通道型 式的第三场效电晶体(P3)与第一供应电位(VDD)之间 配置 有一个第一通道型式的第六场效电晶体(P6);第一 通道型 式的第五场效电晶体(P5)的闸极与汲极互相连接; 第一通 道型式的第六场效电晶体(P6)的闸极与汲极互相连 接。8. 如申请专利范围第1至第4项中任何一项的 积体缓冲器 电路,其中在第一通道型式的第二场效电晶体(P2) 与电阻 元件(R)之间设置有一个第一通道型式的第五场效 电晶体( P5);在第一通道型式的第三场效电晶体(P3)与第一 供应 电位(VDD)之间设置有一个第一通道型式的第六场 效电晶 体(P6);第一通道型式的第五(P5)与第六(P6)场效电晶 体 的闸极互相连接;第一通道型式的第六场效电晶体 (P6)的 闸极与汲极互相连接。9.如申请专利范围第1至第4 项中任一项的积体缓冲器电路 ,其中在第一通道型型式的第二场效电晶体(P2)与 电阻元 件(R)之间设置有一个第一通道型式的第五场效电 晶体(P5 );在第一通道型式的第三场效电晶体(P3)与第一供 应电 位(VDD)之间设置有一个第一通道型式的第六场效 电晶体( P6);第一通道型式的第五(P5)与第六(P6)场效电晶体 的 闸极互相连接;第一通道型式的第五场效电晶体(P5 )的闸 极与汲极互相连接。10. 如申请专利范围第1至第4 项中任一项的积体缓冲器电 路,其中在第一通道式的第二场效电晶体(P2)与电 阻元件 (R)之间设置有一个第一通道型式的第五场效电晶 体(P5) ;在第一通道型式的第三场效电晶体(P3)与第一供 应电位 (VDD)之间设置有一个第一通道型式的第六场效电 晶体(P6 );第一通道型式的第五场效电晶体(P5)的闸极与汲 极互 相连接;第一通道型式的第六场效电晶体(P6)的闸 极与汲 极互相连接。图示简单说明: 图1与2本发明的实施形式。 |