| 主权项 |
1. 一种非挥发性半导体记忆元件,包括: 一记忆单元阵列由多种可在其中以电写入资料并 作为记忆 单元之电晶体所构成; 一写入电路根据写入资料输入讯号控制写入负载 到位元线 之连接,所述位元线是由解译位址讯号之列与行解 码器输 出选择讯号到记忆单元阵列之字组与位元线之输 出所指定 ; 一偏压电路藉由降低写入电压电源而输出偏压以 设定所述 记忆单元阵列之单元写入电压; 所述非挥发性半导体记忆元件同时包括: 一场效电晶体(102,302)在闸极接收从所述偏压电路( 118) 之输出并输出所述单元写入电压到与汲极相连的 单元写入 电压线(122); 一导通型场效电晶体(104,304)和所述作为写入负载 之场 效电晶体(102,302)互补,所述场效电晶体(104,304)排列 在所述单元写入电压线与所述记忆单元阵列之位 元线之间 。2. 如申请专利范围第1项之非挥发性半导体记忆 元件,其 中写入负载是由一场效电晶体(104)所构成,其开关 操作 是根据所述行解码器(117)输出讯号与所述写入资 料输入 讯号之逻辑结果(113)所控制。3. 如申请专利范围 第1项之非挥发性半导体记忆元件,其 中写入负载是由两串联场效电晶体所构成,其个别 开关操 作是根据所述行解码器输出讯号与所述写入资料 输入讯号 所控制。4. 如申请专利范围第3项之非挥发性半导 体记忆元件,其 中两场效电晶体之一(304)之开关操作是受写入资 料输入 讯号之输出讯号所控制而另一场效电晶体(326)之 开关操 作是以同样方式受行解码器之输出讯号所控制。5 . 一种非挥发性半导体记忆元件之资料写入方法, 系对 由多种可在其中以电写入资料并作为记忆单元之 电晶体所 构成之记忆单元阵列,包括以下步骤: 输出写入电压; 输出低于写入电压之偏压; 藉由写入资料输入讯号与来自行解码器之行指定 讯号而选 择位元线; 当位元线之选择被设定时,连接受选定所述位元线 到所述 输出偏压讯号。6. 如申请专利范围第5项之非挥发 性半导体记忆元件之资 料写入方法,其中 输出所述写入电压之步骤是输出所述写入电压到N 型场效 电晶体,其汲极连接写入电源电压,其闸极连接写 入电源 电压之半,其源极连接藉由降低写入电源电压而获 得之写 入电压; 输出低于所述写入电源电压之偏压之步骤是输出 藉由降低 写入电源电压而获得之电压; 选择所述位元线之步骤是藉由写入资料输入讯号 与来自所 述行解码器之所述行指定讯号之逻辑结果来选择 所述位元 线;以及 连接所述写入电压到所述受选定位元线之步骤是 输出写入 电压仅当P型场效电晶体其源极连接写入电压且其 汲极连 接位元线,藉由上述位元线被选定之机会而使其闸 极连接 偏压。7. 如申请专利范围第5项之非挥发性半导体 记忆元件之资 料写入方法,其中 输出所述写入电压之步骤是输出所述写入电压到N 型场效 电晶体,其汲极连接写入电源电压,其闸极连接写 入电源 电压之半,其源极连接藉由降低写入电源电压而获 得之写 入电压; 输出低于所述写入电源电压之偏压之步骤是输出 藉由降低 写入电源电压而获得之电压; 选择所述位元线之步骤是从行解码器(317)到所选P 型场效 电晶体(326)之闸极施以位元线选定讯号,其汲极连 接位 元线;以及 连接所述写入电压到所述受选定位元线之步骤是 连接资料 线所选P型场效电晶体(326)之源极到P型写入场效电 晶体( 304)之汲极,所述P型写入场效电晶体(304)之闸极被 施以 偏压,当写入资料输入时,所述P型写入场效电晶体( 304) 之源极被施以单元写入电压。图示简单说明: 图1是表示传统非挥发性半导体记忆元件的电路图 ; 图2是表示图1所示N型写入场效电晶体402的输出特 性图; 图3是表示本发明的非挥发性半导体记忆元件写入 电路周 边的电路图; 图4是表示P型写入电晶体104的输出特性图; 图5是表示本发明的非挥发性半导体记忆元件写入 电路周 |
