| 摘要 |
<P>Ce procédé consiste à préparer un substrat comportant dans une première surface principale plusieurs couches (3) de structures de circuits, ouvrir des trous d'interconnexion (7) dans cette surface du substrat, préparer un second substrat comportant au moins une couche (10) de structures de circuits et une métallisation (11), réunir les deux substrats pour former une pile de substrats (14), amincir cette pile du côté du premier substrat jusqu'à ce que les trous (7) soient ouverts de ce côté, approfondir les trous jusqu'à la métallisation (11) et établir une liaison électriquement conductrice entre les métallisations (5, 11) par l'intermédiaire des trous (7).<BR/>Application notamment à la fabrication de circuits intégrés tridimensionnels.</P> |
