| 摘要 |
<P>Un convertisseur de niveau d'un dispositif de mémoire à semi-conducteurs comprend:<BR/>- un bloc de conversion de niveau comprenant une paire de transistors (MP2, MP3) d'une première conductivité qui reçoivent une première et une seconde tension de lecture (Sas, SasB) par leurs grilles, une paire de transistors (MN4, MN5) d'une seconde conductivité;<BR/>- un moyen de blocage comprenant un premier transistor (MP1), du premier type de conductivité qui applique une tension d'alimentation (Vcc) aux sources des transistors (MP2, MP3); et<BR/>- un moyen de verrouillage qui amplifie une différence de la première et la seconde tension de sortie entre le premier et le second noeud de sortie pour qu'elle soit essentiellement égale au niveau de la tension d'alimentation (Vcc).</P>
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