The method of making epitaxy layers of phosphide indium from gaz phase

摘要

Inventia se refera la tehnologia semiconductorilor si poate fi utilizata la obtinerea straturilor epitaxiale de fosfura de indiu cu parametrii electrofizici dirijabili. Pentru excluderea pierderilor de material al sursei in procesul de saturatie a ei cu fosfor si asigurarea dirijabilitatii compozitiei fazei gazoase prin intermediul procedeului solicitat, c