The method of heterostructures making of p+InP-pInP/CdS and p+GaAs-pGaAs/CdS

摘要

Inventia se refera la tehnologia semiconductorilor si poate fi utilizata la obtinerea in sistem deschis cu transport de gaze a heterojonctiunilor p+InP-pInP/CdS si p+GaAs-pGaAs/CdS pentru ce Pentru marirea productivitatii procesului si a calitatii parametrilor electrofizici ai celulelor solare cu ajutorul procedeului solicitat, care include cresterea structurilor p+InP-pInP si p