首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Kondensator, wobei polykristallines Silizium mit mikrorauher Oberfläche verwendet wird
摘要
申请公布号 DE69122796(D1) 申请公布日期 1996.11.28
申请号 DE1991622796 申请日期 1991.03.20
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 WATANABE, HIROHITO, C/O NEC CORPORATION, MINATO-KU, TOKYO, JP;TATSUMI, TORU, C/O NEC CORPORATION, MINATO-KU, TOKYO, JP
分类号 H01L21/02;H01L27/108;H01L29/92;(IPC1-7):H01L29/94;H01L29/04;H01L21/20 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com