首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 Verfahren zum epitaktischen Wachstum und Dotierung eines Verbindungskristalls
摘要
申请公布号 DE69118414(T2) 申请公布日期 1996.11.28
申请号 DE19916018414T 申请日期 1991.01.18
申请人 RESEARCH DEVELOPMENT CORP. OF JAPAN, TOKIO/TOKYO, JP;KURABAYASHI, TORU, SENDAI, MIYAGI, JP;NISHIZAWA, JUN-ICHI, SENDAI, MIYAGA, JP 发明人 KURABAYASHI, TORU, TAIHAKU-KU, SENDAI-SHI,, JP;NISHIZAWA JUN-ICHI, NISHIZAWA JUN-ICHI, AOBA-KU, SENDAI-SHI, JP
分类号 C30B25/02;C30B25/10;C30B25/14;C30B29/40;H01L21/205;(IPC1-7):C30B25/02 主分类号 C30B25/02
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com