| 发明名称 | 精密控制硅中氧的沉淀 | ||
| 摘要 | 控制单晶硅中氧沉淀物成核中心密度的工艺。该工艺中，为了在单晶硅中形成氧沉淀物成核中心，在至少约350℃的温度下对单晶硅退火。在退火工序中，加热(或冷却)单晶硅到第一温度T<SUB>1</SUB>，T<SUB>1</SUB>在约350℃和约500℃之间。然后从T<SUB>1</SUB>升温至第二温度T<SUB>2</SUB>，T<SUB>2</SUB>在约500℃和约700℃之间，从T<SUB>1</SUB>到T<SUB>2</SUB>的平均升温速率小于25℃/min。当通过在不超过约1150℃的某一温度下对硅进行热处理能够溶解氧沉淀成核中心时，结束退火。 | ||
| 申请公布号 | CN1136604A | 申请公布日期 | 1996.11.27 |
| 申请号 | CN96100507.6 | 申请日期 | 1996.03.13 |
| 申请人 | MEMC电子材料有限公司 | 发明人 | R·法尔斯特 |
| 分类号 | C30B33/02;C30B29/06;C30B15/00 | 主分类号 | C30B33/02 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 徐汝巽 |
| 主权项 | 1.一种控制单晶硅中氧沉淀物成核中心密度的工艺，包括在至少约350℃的温度退火单晶硅，该退火包括：(i)在约350℃和约500℃之间的一个温度T1热处理单晶硅，以在单晶硅中形成氧沉淀成核中心，和(ii)将单晶硅的温度从T1升高到第二温度T2，T2在约500℃和约750℃之间，该工艺的特征在于控制从T1到T2的升温速率，使得在达到T2温度时，单晶硅含有在T1温度下形成的氧沉淀物成核原子簇，并且当通过在不超过约1150℃的某一温度下对硅进行热处理能够溶解氧沉淀物成核中心时，在某一时间点结束退火。 | ||
| 地址 | 美国密苏里 | ||