发明名称 备有加热和冷却支撑压板及静电夹具的聚对苯二甲撑沉积装置
摘要 本发明提供化学蒸汽淀积装置以便于制造半导体晶片时快速而有效率淀积聚对苯二甲撑AF4至矽晶片上。该装置包括一个加热和冷却压板用以支撑晶片在淀积室中并在淀积程序期间用以控制晶片之温度,且另外包括一个静电夹紧装置以便夹住晶片与压板呈密切热接触。
申请公布号 TW291571 申请公布日期 1996.11.21
申请号 TW084111942 申请日期 1995.11.10
申请人 专业薄层系统公司 发明人 威廉.比奇;约翰.华利;罗杰.奥森
分类号 H01L21/02;H01L21/205;H01L21/68 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼;林敏生 台北巿南京东路二段一二五号七楼伟成第一大楼
主权项 1. 一种聚对苯二甲撑沉积装置,包括: 一个真空系统包括一个汽化室,经偶合至该汽化室 上之一 个热解室及经偶合至热解室上之一个淀积室以便 接收气态 之聚对苯二甲撑单体; 经配置在淀积室中之一个导热之压板用以支撑欲 予涂覆之 一个物件; 用以选择性冷却该压板之设备,其中热系通过与冷 却之压 板相接触而予传导出物件;及 真空设备用以创造负压状况在淀积室内,热解室内 及汽化 室内。2.如申请专利范围第1项之聚对苯二甲撑沉 积装置,另外 包括设备用以选择性夹紧该物件与压板呈密切热 接触。3.如申请专利范围第2项之聚对苯二甲撑沉 积装置,其中 用以选择性夹紧物件之设备包括经配置在压板的 表面上之 一个静电夹具。4.如申请专利范围第3项之聚对苯 二甲撑沉积装置,其中 该静电夹具包括经配置在两层的导热之介电材料 间之交叉 指形回路电容器,该电容器系由一个电源予以选择 性供电 而选择性发展一个静电夹紧力。 4.如申请专利范围第1项之聚对苯二甲撑沉积装置, 其中 用以选择性冷却压板之设备包括与该压板呈热接 触之一支 热交换盘管以及用以选择性循环一种冷却流体通 过该热交 换盘管之设备。 6.如申请专利范围第2项之聚对苯二甲撑沉积装置, 其中 用以选择性冷却压板之设备包括与该压板呈热接 触之一支 热交换盘管以及用以选择性循环一种冷却流体通 过该热交 换盘管之设备。 7.如申请专利范围第1项之聚对苯二甲撑沉积装置, 另外 包括用以选择性加热压板之设备,其中热系通过与 经加热 之压板相接触予以传导入物件中。 8.如申请专利范围第7项之聚对苯二甲撑沉积装置, 其中 用以选择性加热压板之设备包括经嵌入压板中之 各开口中 之许多加热元件。 9.如申请专利范围第2项之聚对苯二甲撑沉积装置, 另外 包括用以选择性加热压板之设备,其中热系通过与 经加热 之压板相接触予以传导入物件中。 10.如申请专利范围第9项之聚对苯二甲撑沉积装置 ,其中 用以选择性加热压板之设备包括经嵌入压板中之 各个开口 中之许多加热元件。 11.如申请专利范围第10项之聚对苯二甲撑沉积装 置,其 中用以选择性夹持该物件之设备包括经配置在压 板表面上 之一个静电夹具。 12.如申请专利范围第11项之聚对苯二甲撑沉积装 置,其 中用以选择性冷却压板之设备包括与该压板呈热 接触之一 个热交换盘管及用以选择性循环一种冷却流体通 过该热交 换盘管之设备。 13.如申请专利范围第9项之聚对苯二甲撑沉积装置 ,其中 该淀积室具有一个入口端和该入口端中之一个入 口,将该 入口偶合至热解室以便接收气态之聚对苯二甲撑 单体,该 淀积室包括一个截头锥形穹面具有一个较小直径( 终)端此 终端界定淀积室之入口端及一个较大直径(终)端 此终端界 定淀积室之一个出口端,将真空设备偶合至淀积室 的出口 端上之一个出口以便吸引来自入口之蒸汽流经淀 积室而至 出口,该淀积室的截头锥形形状使淀积室体积减至 极小并 使单体蒸汽的流过经支持在支持组合体上之物件 的表面上 之流动达到极大。图示简单说明: 图1是本发明的聚对苯二甲撑蒸汽沉积装置之示意 图; 图2是本发明之聚对苯二甲撑沉积装置之前立面图 ; 图3是另外之前立面图,将沉积室组件与基座相分 离并将 一部份的基底部份略去来举例说明本发明之加热 和冷却压 板组合体; 图4是沿着图3之4—4线所取之装置的截面图; 图4A是沿着图4之4A—4A线所取之后热解室之截面图 ; 图5是汽化室之放大截面图; 图6是沿着图3之6—6线所取之装置的另外截面图; 图7是举例说明压板和各真空汽门之基底的顶视图 ; 图8A是沿图7之8A—8A线所取之本发明上之石英晶片 体厚 度/速率感测器之截面图; 图8B是沿着图7之8B—8B线所取之本发明的压板和静 电夹 具之放大截面图; 图9是本发明之石英晶体厚度/速度感测器控制系 统之示 意图; 图10是沿着图3之10—10线所取之沉积室本体之截面 图; 及 图11是该沉积室本体之底视图举例说明真空岐管 之各开口
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