| 主权项 |
1. 一种用在MOS结构内以形成接触区镀金属的方法, 其包 含如下之步骤: 在上述MOS结构上已形成之金属前电绝缘层内形 成一接 触区窗口, 形成一钛屏障层, 在钛屏障层上形成一氮化钛屏障层, 在氮化钛屏障层上形成一钛金属层,以覆盖氮 化钛屏 障层, 形成一铝基层以填充上述接触窗,该钛金属层 防止于 铝基层上产生矽沈积块, 于铝基层上形成一氮化钛层。2. 如申请专利范 围第1项所述方法,其中,上述氮化钛金 属层的钛/氮比例约为1。3. 如申请专利范围第1项 所述方法,其中,铝基层为铝/ 矽/铜层合金。4. 如申请专利范围第1项所述方法, 其中,上述之铝基层 为在摄氏450度沈积而成。5. 如申请专利范围第1项 所述方法,并包含沈积一氮化钛 抗反射层在MOS结构上。6. 如申请专利范围第5项所 述方法,并包含沈积一第二金 属层在MOS结构上。7. 如申请专利范围第6项所述方 法,其中,沈积该第二金 属层的步骤包含: 在上述MOS结构上形成一介于金属间电绝缘层; 在上述电绝缘层内形成一通道开口; 在上述通道开口内沈积一钛金属层; 在上述通道开口内沈积一铝基层; 沈积一氮化钛抗反射层。8. 如申请专利范围第 7项所述方法,其中与上述接触窗内 沈积铝基层之工作温度比较,上述通道开口内沈积 铝基层 是以较低之温度来进行。9. 一种用在MOS结构内以 形成接触区镀金属的方法,其包 含如下之步骤: 在上述MOS结构上已形成之金属前电绝缘层内形 成一接 触区窗口, 形成一不易熔的钛金属层, 在不易熔的钛金属层上形成一氮化钛屏障层, 在氮化钛屏障层上形成一钛金属层,以覆盖氮 化钛屏 障层, 形成一铝基层以填充上述接触窗,该钛金属层 与铝基 层反应形成铝化钛,该铝化钛溶解一矽沈积块,以 防止于 铝基层内以及铝基层上产生矽沈积块。图示简单 说明: 图1显示习知之MOSFET元件。 图2显示使用传统的铝镀金属制程所形成的金属接 触区。 图3显示依据本发明之铝镀金属制程的流程图。 |
