| 主权项 |
1. 一种半导体中形成场氧化层的方法,其包含以下 步骤 : 在一基底上依序形成一垫氧化层及一氮化物层 ,并以 微影制程定义图案,进而在该氮化物层上蚀刻形成 一具宽 区域之开口及一具窄区域之开口; 进行氧化作用,藉以在该基底中的宽区域开口 及窄区 域开口上分别成长出一第一场化层及一薄于第一 场氧化层 之第二场氧化层; 在该氮化物层及场氧化层表面沈积多晶矽层; 以上述氮化物层为蚀刻停止层,利用化学机械 研磨法 对该多晶矽层进行研磨,使残留于该第一场氧化层 之多晶 矽层薄于留在第二场氧化层之多晶矽层;及 利用热氧化法进行氧化,使该窄区域上之第二 场氧化 层的厚度大于宽区域上之第一场氧化层的厚度。2 . 如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤中 系将 该氮化物层与该垫氧化层的厚度比例定在8-10。3. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤中 系将 该垫氧化层加上该氮化物层的总厚度控制为所欲 形成之场 氧化层之厚度的 0.4至0.6之间。4. 如申请专利范围第1项所述之方法 ,其中步骤中的热 氧化作用系在950℃至1050℃之间的温度下进行,藉 以将 该第一场氧化层及该第二场氧化层的厚度成长至 介于3, 500@fc(1.frch)8至4,500@fc(1.frch)8之间。5. 如申请专利 范围第1项所述之方法,其中步骤中系以 低压化学气相沉积法将该多晶矽层的厚度沉积至 介于2, 000@fc(1.frch)8至3,000@fc(1.frch)8之间。6. 如申请专利 范围第1项所述之方法,其中步骤中系利 用热氧化法,以950℃至1050℃之间的温度将该多晶 矽层 氧化。7. 如申请专利范围第1项所述之方法,更进 一步包含以下 步骤:利用氢氟酸将在该氮化物层上方之氧化层作 等向性 蚀刻,接着再分别以磷酸溶剂及氢氟酸将该氮化物 层和该 垫氧化层蚀刻掉。8. 如申请专利范围第7项所述之 方法,更进一步包含以下 步骤:进行热氧化法以形成一牺牲氧化层,并利用 氢氟酸 对该等氧化层回蚀刻一既定厚度,以完成后续之制 程。9. 一种半导体中形成场氧化层的方法,其包含 以下步骤 : 在一基底上依序形成一垫氧化层及一氮化物层 ,且在 该氮化物层之既定位置形成有一具宽区域之开口 及一具窄 区域之开口, 进行氧化作用,藉以在该基底中的宽区域开口 及窄区 域开口上分别成长出一第一场化层及一薄于第一 场氧化层 之第二场氧化层; 在该氮化物层及场氧化层表面沈积多晶矽层; 对该多晶矽层进行研磨,使残留于该第一场氧 化层之 多晶矽层薄于留在第二场氧化层之多晶矽层;及 进行氧化作用,使该窄区域上之第二场氧化层 的厚度 与宽区域上之第一场氧化层的厚度差距缩小。10. 如申请专利范围第9项所述之方法,更进一步包含 以 下步骤:对该第一场氧化层及第二场氧化层作等向 性蚀刻 ,并接着去除该氮化物层及该垫氧化层。11. 如申 请专利范围第10项所述之方法,更进一步包含以 下步骤:形成一牺牲氧化层,并对该等氧化层回蚀 刻一既 定厚度,以完成后续之制程。图示简单说明: 第1图系显示根据本发明之一实施例中,在一基底 上形成 一具宽区域之开口及一具窄区域之开口的剖面示 意图; 第2图系显示依据第1图之宽区域开口及窄区域开 口,而分 别长出第一场氧化层及薄于第一场氧化层之第二 场氧化层 的剖面示意图; 第3图系显示依据第2图之表面来沈积一多晶矽层 的剖面示 意图; 第4图系显示依据第3图之表面,以对该多晶矽层进 行研磨 的剖面示意图; 第5图系显示依据第4图之表面,再一次利用热氧化 法,将 分别位于第一场氧化层及第二场氧化层之上方的 多晶矽层 氧化的剖面示意图; 第6图系显示依据第5图之表面,对第一场氧化层及 第二场 氧化层作等向性蚀刻的剖面示意图;及 第7图系显示依据第6图之表面,形成一牺牲氧化层, 并对 该氧化层及场氧化层回蚀刻一既定厚度,以完成后 续之制 |
