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发明名称 Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einer Schottky Kontaktdiode
摘要
申请公布号 DE69122710(D1) 申请公布日期 1996.11.21
申请号 DE1991622710 申请日期 1991.08.20
申请人 FUJITSU LTD., KAWASAKI, KANAGAWA, JP 发明人 INOUE, KENICHI C/O FUJITSU LIMITED, KAWASAKI-SHI, KANAGAWA 211, JP
分类号 H01L21/329;H01L21/768;H01L29/47;H01L29/872;(IPC1-7):H01L21/28 主分类号 H01L21/329
代理机构 代理人
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