| 发明名称 | 半导体器件制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种半导体器件制造方法，该制造方法包括：在已形成电路元件的基片上，形成下电极用白金膜、由大介电常数介质膜或者强介质膜组成的介质膜和上电极用白金膜，使用含氯的蚀刻气体有选择地对所述上电极用白金膜和所述介质膜进行干式蚀刻后，照射含氟气体放电所产生的等离子体。利用这种半导体器件制造方法，因几乎没有氯残留，所以能防止由于残留氯而侵蚀介质膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1136218A | 申请公布日期 | 1996.11.20 |
| 申请号 | CN96101296.X | 申请日期 | 1996.02.02 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 长野能久;藤井英治 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/306;H01L21/324;H01G4/33;H01G4/40 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 孙敬国 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，该制造方法包括下述工序：在已形成电路元件的基片上，形成下电极用白金膜、由大介电常数介质膜或者强介质膜组成的介质膜和上电极用白金膜的工序；使用包含氯、溴和碘中至少一种的蚀刻气体，有选择地对所述上电极用白金膜和所述介质膜进行干式蚀刻的工序；在所述干式蚀刻后，照射含氟气体放电所产生等离子体的工序和对所述下电极用白金膜进行蚀刻的工序。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||