发明名称 半导体存储器
摘要 一种结构与DRAM相同、不需刷新操作、且一旦断电后仍能保持数据的半导体存储器。它有将由一个晶体管和一个电容器构成的存储单元有选择地配置在多条字线WL和多条位线BL的交点的存储单元阵列,通电有效时,连接所选择字线WLO的存储单元M1、M3内的各晶体管导通,通电有效时连接非选择字线WL1的存储单元M0、M2内的各晶体管呈截止状态,通电待用时,断电时,电源接通时及电源切断时,全部存储单元M0~M4内的各晶体管呈截止状态。
申请公布号 CN1136207A 申请公布日期 1996.11.20
申请号 CN96100612.9 申请日期 1996.01.04
申请人 株式会社东芝 发明人 高导大三郎;大胁幸人
分类号 G11C14/00;H01L27/10 主分类号 G11C14/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 冯赓宣
主权项 1.一种半导体存储器,其存储单元由一个晶体管和一个电容器构成,晶体管的栅极连接字线,漏极连接位线,源极连接电容器的一端而构成存储节点,电容器的另一端连接电极板,该存储单元有选择地配置在多条字线和多条位线的交点上,该半导体存储器的特征在于:电源通电有效时,连接所选择字线的存储单元内的各晶体管导通,电源通电有效时,连接非选择字线的存储单元内的各晶体管呈截止状态,电源通电待用时、电源断电时、电源接通时、以及电源断掉时,全部存储单元内的各晶体管呈截止状态。
地址 日本神奈川