| 发明名称 |
CMOS IC with reduced subthreshold standby leakage current |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
GB2300985(A) |
申请公布日期 |
1996.11.20 |
| 申请号 |
GB19960010573 |
申请日期 |
1996.05.20 |
| 申请人 |
HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD. |
发明人 |
JUNG WON SUH |
| 分类号 |
G11C11/413;G11C11/401;G11C11/407;H01L21/822;H01L21/8238;H01L27/04;H01L27/092;H03K19/00;H03K19/094;H03K19/096;(IPC1-7):H03K19/094 |
主分类号 |
G11C11/413 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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