| 主权项 |
(一)凡在详细说明中所叙述之一种包含具有传导道(ConductiveChannel)之石英(Crysta─lline)半导体的改良式电场效应电晶体,其相隔之电源区与电泄区和所述传导道皆相接触,而闸极则以一层绝缘物质与此传导道相隔,其改良特点为:与传导道各端紧接之每个电源区和电泄区内,激荡杂质(DopiligImpurity)之含量,最低限度,要以不使半导体之完善性质产生严重影响为度者。(二)根据上述请求专利第(一)项所叙述之一种改良式电场效应电晶体,其特点为在该区内之激荡杂质浓度小于10^19/3厘米者。(三)根据上述请求专利部份第(二)电所叙述之一种改良式电场效应电晶体,其特点为在该区内之激荡杂质浓度为大于10^17/3厘米者。(四)根据上述请求专利部份第(一)项所叙述之一种改良式电场效应电晶体,其特点为晶体中隔开之高激度区与该传导道有电之流通;而一个与该高激度区有相似传导型,然激度浓度较低之区域,则插于各该高激度区与传导道之间者。(五)根据上述请求专利部份第(四)项所叙述之一种改良式电场效应电晶体,其特点为其中之该晶体为矽,该高激度区则浓度递减,而该低激度区内之激荡杂质含量系在10^17/3厘米与10^19/3厘米之间者。 |
