发明名称 MES field effect transistor formed in a diamond layer
摘要
申请公布号 EP0702413(A3) 申请公布日期 1996.11.13
申请号 EP19950114492 申请日期 1995.09.14
申请人 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD 发明人 SHIOMI, HIROMU;NISHIBAYASHI, YOSHIKI;SHIKATA, SHIN-ICHI
分类号 H05H1/46;H01L21/31;H01L21/338;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/80;H01L29/812;(IPC1-7):H01L29/812 主分类号 H05H1/46
代理机构 代理人
主权项
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