| 发明名称 | 制备半导体器件中的电容器电荷储存电极的方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露的制备电荷储存电极的方法包含的步骤有：制备一个通过接触孔使有源区暴露出来的基片；在接触孔中充满含氧的非晶硅层；热处理此非晶硅层，使非晶硅层结晶成多孔多晶硅层，并在多孔多晶硅层间产生含氧副产物；以及对含氧的副产物施行一种湿蚀工艺，从而使多孔多晶硅层可以用作电荷储存电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1135655A | 申请公布日期 | 1996.11.13 |
| 申请号 | CN95120366.5 | 申请日期 | 1995.12.20 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 严今镕 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/70;H01G4/005 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人 | 马涛 |
| 主权项 | 1、一种制备电荷储存电极的方法，包含的步骤有：制备一个通过接触孔使有源区暴露出来的基片；在接触孔中充满含氧的非晶硅层；热处理此非晶硅层，使非晶硅层结晶成多孔的多晶硅层，并在多孔多晶硅层间形成含氧的副产物；和对含氧的副产物施行一种湿蚀工艺，从而使多孔多晶硅层可以用作电荷储存电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||