| 主权项 |
1.一种形成透明电导性膜之方法,其包括步骤有: 在钝气氛围下藉由溅镀一靶材而于基板上形成金 属性ITO 膜,该靶材含有氧原子、铟原子、及锡原子,形成 该ITO 膜的该步骤包含藉由单独供应氩气至具有@nl 3.O10@su-@su4巴或更小之内压力的真空容器而产生 该 钝气氛围的步骤; 使用湿式蚀刻方法藉由选择性地去除该ITO膜的指 定部分 而使该ITO膜形成图案;及 以氧搀杂该形成图案之ITO膜,其所用之方法系以离 子浴 之方式搀杂氧离子,以降低该形成图案之ITO膜之比 阻抗 ,在以该氧搀杂该形成图案之ITO膜的该步骤,该氧 的剂 量是由10@su1@su6到10@su1@su7离子/平方厘米;及 加热该形成图案的ITO膜,如此由该形成图案之ITO膜 形成 该透明电导性膜。2.根据申请专利范围第1项之方 法,其中该靶材包括含有 10wt%之氧化锡的氧化铟。3.根据申请专利范围第1 项之方法,其中,形成该ITO膜的 该步骤包含供应具有0.24巴之压力的该氩气至该真 空容器 的步骤。4.根据申请专利范围第1项之方法,更包含 加热该透明电 导性膜的步骤。5.根据申请专利范围第1项之方法, 其中,在使该ITO膜形 成图案的该步骤包含形成具有开口之光阻膜的步 骤,该开 口在该ITO膜上界定该ITO膜的该指定部分、选择性 地去除 该ITO膜之该指定部分的步骤,该ITO膜经由该光阻膜 的该 开口而暴露出来、及去除该光阻膜的步骤。图示 简单说明: 图1显示出根据本发明之范例之溅镀装置的横断面 视图。 图2显示出主动矩阵基板的平面视图。 图3A到3E范例性地显示出根据本发明而形成透明电 导性膜 |
