| 主权项 |
1. 一种形成多个积体电路(IC)晶片之方法,包括如下步骤:(a) 提供一晶圆;(b)形成多个与该晶圆为一体之IC晶片以使晶圆具有多个切口区,每一切口区皆置于该等IC晶片之相邻IC晶片间,该等切口区具有一第一晶片金属层含于其中;(c) 自该等切口区中移除该第一晶片金属层;以及(d)在步骤(c)后,于该等IC晶片上形成一转移金属层,以使该转移金属层与该等IC晶片机械连结。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中之形成步骤(b)另包含形成该等具有一第二晶片金属层于切口区内之IC晶片,且其中该第二晶片金属层系置于晶圆与第一晶片金属层之间,且与晶圆与第一晶片金属层机械连结。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中之移除步骤(c)另包含将该第二晶片金属层自该等切口区中移除。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中之移除步骤(c)另包含将含于该等切口区内之一部分晶圆予以蚀刻以使该等晶片自晶圆中分离。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中在步骤(d)之前,该方法另包括于该等IC晶片上沈积一绝缘层,并将该绝缘层平面化以使该转移金属层实质上平面成形。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中之形成步骤(b)包含形成一第一金属之晶片金属层,且其中之形成步骤(d)包含自该第一金属形成该转移金属层。7.根据申请专利范围第1项之方法,其中之步骤(a)与(b)之实施与步骤(c)与(d)相隔一段远距离。8. 一种形成多个积体电路(IC)晶片之方法,包括如下步骤:(a) 提供一晶圆;(b)形成多个与该晶圆为一体之IC晶片以使晶圆具有多个切口区,每一切口区皆置于该等IC晶片之相邻IC晶片间,该等切口区具有一晶片金属层及一含于该金属层中之转移金属层;以及(c) 自该等切口区将该晶片金属层移除。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中之移除步骤(c)另包含将含于该切口区内之一部分晶圆予以蚀刻以使该等晶片自晶圆中分离。10.根据申请专利范围第8项之方法,其中之形成步骤(b)含有形成一第一金属之晶片金属层,以及该第一金属之转移金属层。11.根据申请专利范围第8项之方法,其中之形成步骤(b)含有形成与转移金属层共平面之晶片金属层。12.一种积体电路(IC)晶片,包括:一辅助层;一由一第一型金属所构成之晶片金属层,该晶片金属层与辅助层机械连结;以及一由该第一型金属所构成之转移金属层,该转移金属层与辅助层机械连结。13.根据申请专利范围第12项之IC晶片,其中之辅助层含有一基片,且该晶片金属层系置于转移金属层与基片之间,并且与转移金属层及基片机械连结。14.根据申请专利范围第12项之IC晶片,其中之晶片金属层系与转移金属层共平面。15.根据申请专利范围第12项之IC晶片,其中之第一型金属为合成之钛/铝—铜金属。16. 一种形成一电子模组之方法,包括如下步骤:(a)提供多个积体电路(IC)晶片,每一IC晶片皆含有一边缘表面、一第一晶片金属层及一转移金属线,该IC晶片另含一活性区及一切口区,切口区与边缘表面相邻,而活性区则与切口区相邻,且其中该第一晶片金属层仅含于活性区内,而转移金属线则含于活性区与切口区内;以及(b) 将该等IC晶片予以堆叠以形成一电子模组。17.根据申请专利范围第16项之方法,其中之提供步骤(a)包括使每一IC晶片具有一基片,该第一晶片金属层系置于该基片及转移金属线之间,且与基片及转移金属线机械连结。18.根据申请专利范围第17项之方法,其中该等IC晶片之该等边缘表面至少部分界定出该电子模组之一个侧表面,该侧表面具有该等IC晶片之第一转移金属线,该第一转移金属线向侧表面延伸,且该方法包含将该模组之侧表面予以平面化以露出该第一转移金属线。19.根据申请专利范围第18项之方法,另包括形成一图型化绝缘层,该绝缘层于电子模组之侧表面上具有一开口,使得该等IC晶片之该第一IC晶片的第一转移金属线于该图型化绝缘层之开口内部分露出。20.根据申请专利范围第19项之方法,其中该第一IC晶片在该切口区内含有一第二晶片金属层,该第二晶片金属层系置于第一转换金属线与基片间,且与第一转换金属线及基片机械连结,该形成一图型化绝缘层之步骤包含以该图型化绝缘层将该第二晶片金属层予以绝缘。21.根据申请专利范围第18项之方法,其中该方法另包括对该模组之侧表面予以选择性蚀刻以移除该等IC晶片之每一基片的一部分。22.根据申请专利范围第21项之方法,其中该方法另包括于该选择性蚀刻之侧表面上沈积一绝缘层,并将该绝缘层予以平面化以露出该等IC晶片之每一转移金属线。23. 一种电子模组,包括:多个堆叠之积体电路(IC)晶片,每一晶片皆具有一辅助层,一由第一金属所构成之第一晶片金属层及一由该第一金属所构成之转移金属线,其中该第一晶片金属层与转移金属线与该辅助层机械连结。24.根据申请专利范围第23项之电子模组,其中每一IC晶片具有一边缘表面,该边缘表面至少部分界定出该电子模组之一个侧表面,且其中该等IC晶片之一第一IC晶片的第一转移金属线系朝该侧表面延伸。25.根据申请专利范围第24项之电子模组,其中该电子模组于侧表面中具有一开口,该开口使第一IC晶片之第一转移金属线露出于其中,该第一IC晶片之第一晶片金属层与开口电绝缘。26.根据申请专利范围第24项之电子模组,其中该第一转移金属线系露出于侧表面上,且该第一晶片金属层与侧表面相绝缘。27.根据申请专利范围第23项之电子模组,其中该等IC晶片之第一IC晶片含有一第二晶片金属层,该第二晶片金属层置于第一晶片金属层上且与其机械连结。28.根据申请专利范围第23项之电子模组,其中该第一金属为钛/铝—铜金属。29.根据申请专利范围第23项之电子模组,其中该第一晶片金属层与该转移金属线共平面。30.根据申请专利范围第23项之电子模组,其中每一IC晶片之辅助层含有一基片,且其中每一IC晶片之每一第一晶片金属层系置于该基片与转移金属线之间,且与基片及转移金属线机械连结。图示简单说明:图1所示为晶圆之部分剖面图,此晶圆具有出现于一切口区中之双层式晶片金属化结构;图2为图1之晶圆在沈积光阻层后之剖分部面图;图3为图2之晶圆在罩幕暴光与光阻层显影后之部分剖面图;图4为图3之晶圆在依据本发明予以部分清除切口区及移除所有残余光阻剂后的部分剖面图;图4A为图3之晶圆在完全清除切口区与移除所有残余之光阻剂后的部分剖面图;图4B为图3之晶圆在完全清除切口区及移除所有残余之光阻剂后的部分剖面图,而清除切口区之步骤包含将切口区中之晶圆予以局部蚀刻;图5为图4A之晶圆在完成平面化较低绝缘层之沈积以及沈积后再形成一转移金属层之后的部分剖面图;图5A为图4A之晶圆在形成一转移金属层且未将一沈积之较低绝缘层平面化后的部分剖面图;图6为多个IC晶片经叠层在一起后之一堆叠的部分剖面图,每一晶片皆具有一完全清除之切口区;图7为图6之堆叠经由将其一侧表面予以平面化及优先蚀刻后的部分剖面图;图8为图7之堆叠在将所蚀刻之侧表面上的绝缘层予以沈积及平面化后的部分剖面图;图9为多个具有部分清除之切口区并叠层在一起之IC晶片的一堆叠之部分剖面图,该堆叠具有一平面化之侧表面;图10为图9之堆叠于该侧表面上形成一绝缘层后的部分剖面图;图11及11A分别为图10之堆叠依据本发明于绝缘层中形成开口以露出该等转移金属线后之部分剖面图及俯视示意图;图12为图11之另一实施例的部分剖面图,其中每一IC晶片皆具有一完全清除之切口区;图13及13A分别为具有未清除之切口区的IC晶片之一堆叠的部分剖面图及俯视示意图;图14为依据本发明之具有一共平面晶片金属与转移金属层之晶圆的部分俯视图;以及 |
