制造具有增进功效之介电体之方法

摘要

本发明揭示一种可制造及可控制之方法，用以制造具增进装置电流趋动力之介电体。使用含氮之环境以氧化基质(10)之表面，以形成含氮之介电体(12)。然后引进含氟之物种（以植入方式为佳）至位于含氮介电体上层之闸电极(20)。然后将氟趋入位于下层之含氮介电体。可望在介电体(12')和基质(10)间之介面处形成氟化之含氮区(14')。氟和氮间之交互作用会增进介电体之尖峰互导和在高电场下之互导。因此，经由此处理途径，增进全部电流趋动力。

主权项

1. 一种制造介电体之方法,其包括以下步骤:提供具有表面部份之基质(10);使用含氮之氧化剂氧化此基质之表面部份,以形成含氮介电体(12);在该含氮介电体上层形成闸电极(18);将氟(F)植入闸电极中,以形作氟化之闸电极(20);以及使该氟化之闸电极进行退火,以将氟驱入该含氮介电体中,以形成氟化之含氮介电体(12')。2. 一种制造介电体之方法,其包括以下步骤:提供具有表面部份之基质(10);氧化此基质之表面部份,以形成一个氧化层;以含氮环境使该氧化层退火,以形成含氮介电体(12);在该含氮介电体上层形成闸电极(18);将氟(F)植入闸电极中,形成氟化之闸电极(20);以及使该氟化之闸电极退火,以将氟驱入该含氮介电体中,以形成氟化之含氮介电体(12')。3. 一种制造介电体之方法,其包括以下步骤:提供具有表面部份之矽基质(10);在此矽基质之表面部份上形成含氮介电体(12);在该含氮介电体上层形成闸电极(18);以及在闸电极上层长成氟化之介电体(24),其含有氟,其中在该氟化之介电体中氟,系经由闸电极驱入该含氮介电体中,以形成氟化之含氮介电体(12')。4. 一种制造介电体之方法,其包括以下步骤:提供具有表面部份之矽基质(10);在此矽基质之表面部份上形成含氮介电体(12);在该含氮介电体上层形成闸电极(18);以O@ss2氧化该闸电极之顶部表面,以形成氧化层;以及于含氟之环境中使该氧化层退火,以使氟引入该氧化层中,以形成氟化之介电体;其中在该经氟化之介电体中之氟,系经由闸电极驱入该含氮介电体中,以形成氟化之含氮介电体(12')。5. 一种制造介电体之方法,其包括以下步骤:提供具有表面部份之矽基质(10);在此矽基质之表面部份上形成含氮介电体(12);在该含氮介电体上层形成闸电极(18);以O@ss2氧化该闸电极之顶部表面,以形成氧化层;以及在该氧化层中植入氟离子,以在该闸电极上层形成氟化之介电体(含氟);其中在该经氟化之介电体中之氟,系经由闸电极驱入该含氮介电体中,以形成氟化之含氮介电体(12')。图示简单说明:图1至4阐述(截面)形成根据本发明之具体实例,具有改良性能之介电体之方法步骤。图5至6阐述(截面)形成根据本发明之第二种具体实例,具