| 主权项 |
1.一种积体电路之电容制造方法,形成于半导体基 板上其 步骤包含: 沈积第一复晶矽层于该半导体基板上; 定义光阻层图案形成于该第一复晶矽层之上; 蚀刻该第一复晶矽层,并在旁侧形成高分子聚合物 聚合物 ;去除光阻; 回蚀刻该第一复晶矽层; 沈积介电层于该第一复晶矽层之表面; 沈积第二复晶矽层于该介电层之上。2.如申请专 利范围第1项之方法,其中上述之第一复晶矽 层形成于上述之半导体基板上之场氧化层之上,该 第一复 晶矽层经由接触窗与该基板连结。3.如申请专利 范围第2项之方法,其中上述之第一复晶矽 层之厚度为3000埃至7000埃之间。4.如申请专利范围 第3项之方法,其中上述之第一复晶矽 层与上述之第二复晶矽层为以低压化学气相沈积( LPCVD) 法以PH@ss3.SiH@ss4.N@ss2之混合气体利用同步掺杂( insitu doped)形成复晶矽层或是沈积复晶矽层后再掺 杂 杂质形成复晶矽层。5.如申请专利范围第1项之方 法,其中上述之光阻层为利 用乾蚀刻以氧电浆去除该光阻层。6.申请专利范 围第1项所述之方法,其中上述之回蚀刻( etch back)上述之第一复晶矽层为使用选择性之蚀刻 ,以 上述之高分子聚合物作为罩幕将该第一复晶矽层 蚀刻成凹 槽,以SF@ss6与HBr或Cl@ss2与O@ss2或Cl@ss2加HBr作为 蚀刻剂进行该回蚀刻。7.申请专利范围第1项所述 之方法,其中上述之蚀刻上述 之第一复晶矽层过程将产生高分子聚合物,该高分 子聚合 物将作为罩幕利于该第一复晶矽层形成凹槽形状, 该凹槽 形状之第一复晶矽层将作为电容之底层电极。8. 申请专利范围第1项所述之方法,其中上述之回蚀 刻上 述之第一复晶矽层后其步骤更包含去除该第一复 晶矽层之 侧壁之上述高分子聚合物(polymer)。9. 一种复晶矽 凹槽之形成方法,其步骤包含: 沈积复晶矽层; 定义光阻层图案及沈积该光阻层于该复晶矽层之 上; 利用蚀刻步骤蚀刻该复晶矽层;形成高分子聚合物 于复晶 矽层之侧壁上; 去除光阻层; 以该高分子聚合物为罩幕形成凹槽复晶矽。10.如 申请专利范围第9项之方法,其中上述之以高分子 聚 合物为罩幕形成上述之凹槽复晶矽为利用回蚀刻( etch back)上述之复晶层,使用选择性之蚀刻以上述之高 分子 聚合物作为罩幕将该复晶层蚀刻成凹槽,以SF@ss6与 HBr 或Cl@ss2与O@ss2或Cl@ss2加HBr作为蚀刻剂进行该回蚀 刻 。图示简单说明: 第1图为沈积第一复晶矽层于基板上之截面图。 第2图为定义光阻图案于第一复晶矽层上之截面图 。 第3图为利用蚀刻技术蚀刻第一复晶矽层之截面图 。 第4图为高分子聚合物(polymer)形成于第一复晶矽层 侧壁 及去除光阻后之截面图。 第5图为利用蚀刻技术蚀刻第一复晶矽层形成凹槽 之截面 图。 第6图为去除高分子聚合物之截面图。 第7图为沈积介电层之截面图。 第8图为沈积第二复晶矽层之截面图。 第9图为本发明形成底部电极之扫描式电子显微镜 之照片 |
