| 主权项 |
1. 一种改良式充电放大器,用来放大输入端的输入 信号 以及提供最终输出端的输出信号,该充电放大器包 括: 一运算放大器,具有一反相输入、一非反相输入、 以及一 输出放大信号的放大输出端; 一回授电容,用来将放大信号传送至反相输入; 一参考电压,其与反相输入相连; 一校准电容,其连接在运算放大器之放大输出端与 最终输 出端之间; 第一切换开关,位于运算放大器之放大输出端与反 相输入 之间; 第二切换开关,位于参考电压与运算放大器之反相 输入之 间; 第三切换开关,位于能选择输入信号至反相输入之 位置上 ; 第四切换开关,位于一电压位准与最终输出端之间 ;及 一时序电路,与第一切换开关、第二切换开关、第 三切换 开关、以及第四切换开关相连接,得以在第一时间 里第一 和第四切换开关被关上而第二和第三切换开关则 打开;第 二时间里第一和第三切换开关被打开而第二和第 四切换开 关则关上;第三时间里第一切换开关被关上而第二 、第三 和第四切换开关则打开;第四时间里第三切换开关 被关上 而第一、第二和第四切换开关则打开。2. 如申请 专利范围第1项之充电放大器,其中上述之充电 放大器之参考电压为一参考电容所维持。3. 如申 请专利范围第1项之充电放大器,其中上述之输入 信号为电源电容所维持。4. 如申请专利范围第1项 之充电放大器,其中上述之电压 位准由与该第四切换开关相连接的校准电压源所 产生。5. 如申请专利范围第1项之充电放大器,其 中由金属氧化 半导体电容制成的校准电容与回授电容更包含: 第一串联的金属氧化半导体电晶体,具有闸极、汲 极、及 源极,该金属氧化半导体电晶体的汲极和源极连接 在一起 以形成输入端; 第二串联的金属氧化半导体电晶体,具有闸极、汲 极、及 源极,该金属氧化半导体电晶体的汲极和源极连接 在一起 以形成输出端,该第二金属氧化物半导体电晶体的 闸极与 上述之第一金属氧化物半导体电晶体的闸极相连 接;及 一控制用的金属氧化半导体电晶体,具有闸极、汲 极、及 源极,该控制用的金属氧化半导体电晶体的汲极与 上述之 第一和第二串联的金属氧化物半导体电晶体之闸 极相连接 ,该控制用的金属氧化物半导体电晶体的源极和驱 动电压 源相连接; 藉着运用于该控制用之金属氧化半导体电晶体之 闸极中的 控制信号来使金属氧化半导体电容主动运作。6. 如申请专利范围第2项之充电放大器,其中由金属 氧化 半导体电容所形成的校准电容与回授电容包含: 第一串联的金属氧化半导体电晶体,具有闸极、汲 极、及 源极,该金属氧化半导体电晶体的汲极和源极连接 在一起 以形成输入端; 第二串联的金属氧化半导体电晶体,具有闸极、汲 极、及 源极,该金属氧化半导体电晶体的汲极和源极连接 在一起 以形成输出端,该第二金属氧化物半导体电晶体的 闸极与 该第一金属氧化物半导体电晶体的闸极相连接;及 一控制用的金属氧化半导体电晶体,具有闸极、汲 极、及 源极,该控制用的金属氧化半导体电晶体的汲极与 上述之 第一和第二串联的金属氧化物半导体电晶体之闸 极相连接 ,该控制用的金属氧化物半导体电晶体的源极和驱 动电压 源相连接; 藉着运用于该控制用之金属氧化半导体电晶体之 闸极中的 控制信号来使金属氧化半导体电容主动运作。7. 如申请专利范围第3项之充电放大器,其中上述由 金属 氧化半导体电容所形成的校准电容与回授电容更 包含: 第一串联的金属氧化半导体电晶体,具有闸极、汲 极、及 源极,该金属氧化半导体电晶体的汲极和源极连接 在一起 以形成输入端; 第二串联的金属氧化半导体电晶体,具有闸极、汲 极、及 源极,该金属氧化半导体电晶体的汲极和源极连接 在一起 以形成输出端,该第二金属氧化物半导体电晶体的 闸极与 该第一金属氧化物半导体电晶体的闸极相连接;及 一控制用的金属氧化半导体电晶体,具有闸极、汲 极、及 源极,该控制用的金属氧化半导体电晶体的汲极与 上述之 第一和第二串联的金属氧化物半导体电晶体之闸 极相连接 ,该控制用的金属氧化物半导体电晶体的源极和驱 动电压 源相连接; 藉着运用于该控制用之金属氧化半导体电晶体之 闸极中的 控制信号来使金属氧化半导体电容主动运作。8. 一种用于放大输入于充电放大器中之输入信号的 方法 ,该充电放大器包括一具有一反相输入、一非反相 输入、 以及一用于输出放大信号的放大输出端之运算放 大器;一 位于该放大输出端与反相输入端的回授电容;一可 选择连 接于反相输入的参考电压;以及一连接在放大输出 端与最 终输出端的校准电容,该方法包含下列步骤: (a) 使反相输入端与放大输出端的电压相等; (b) 将最终输出端的电压设定在一预设电压位准上 ; (b) 将该参考电压运用于反相输入端使得该参考电 压被运 算放大器与回授电容之结合所放大; (d) 使反相输入端与放大输出端的电压相等; (e) 将该输入信号运用于反相输入端使得该输入信 号被运 算放大器与回授电容之结合所放大;及 (f) 输出最终放大信号于最终输出端上。9. 如申请 专利范围第8项之方法,其中上述之最终输出端 在步骤(d)期间允许被浮置。10. 如申请专利范围第 8项之方法,其中上述之参考电压 为一参考电容所维持。11. 如申请专利范围第8项 之方法,其中上述之输入信号 为一电源电容所维持。12. 如申请专利范围第8项 之方法,其中上述之预设电压 位准为与上述之第四切换开关相接的校准电压源 所产生。图示简单说明: 第1图为互补式金属氧化半导体影像感应器的概要 方块图 ; 第1A图为先前技术的互补式金属氧化半导体充电 放大器之 概要方块图; 第2图为本发明中互补式金属氧化半导体充电放大 器之概 要方块图; 第2A图为一时序方块图,描述图2中互补式金属氧化 半导 体充电放大器之运作; 第2B图为一电路方块图,描述图2中充电放大器在预 备期 之情形; 第2C图为一电路方块图,描述图2中充电放大器在放 大期 之情形; 第2D图为本发明的互补式金属氧化半导体充电放 大器一个 替代方案的概要方块图; 第2E图为一时序方块图,描述图2D中互补式金属氧 化半导 体充电放大器之运作; 第2F图为一电路方块图,描述图2D中充电放大器在 第一时 间之情形; 第2G图为一电路方块图,描述图2D中充电放大器在 第二时 间之情形; 第2H图为一电路方块图,描述图2D中充电放大器在 第三时 间之情形; 第2I图为一电路方块图,描述图2D中充电放大器在 第四时 间之情形; 第3图为用于图2之充电放大器的以N型金属氧化半 导体制 成的电容概要方块图; 第3A图为一时序方块图,描述图3中电容之运作; 第4图为用于图2之充电放大器中以N型金属氧化半 导体制 成之电容的一个替代方案之概要方块图; 第4A图为一时序方块图,描述图4中电容之运作; 第5图为另一个用于图2之充电放大器中以N型金属 氧化半 导体制成之电容的另一个替代方案之概要方块图; |
