发明名称 FIELD EFFECT TRANSISTOR DRIVING CIRCUIT
摘要 <p>Es wird eine Ansteuerschaltung für mindestens einen Feldeffekttransistor (F) vorgeschlagen, die eine geringe Verlustleistung aufweist. Zur Rückspeisung überschüssiger Energie ist eine mit der Induktivität (LH) in der Steuerleitung des Feldeffekttransistors (F) gekoppelte weitere Induktivität (LN) vorgesehen. Die rückgespeiste Energie kann insbesondere der Gate-Ansteuerelektronik zugeführt werden. Die Ansteuerleistung für den Feldeffekttransistor (F) kann dadurch gering gehalten werden.</p>
申请公布号 WO1996035260(A1) 申请公布日期 1996.11.07
申请号 EP1996001796 申请日期 1996.04.30
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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