| 主权项 |
1. 一种由溶剂中之含卤化物之有机化合物去除卤 化物之 方法,该方法包括: 将溶剂中之含卤化物之有机化合物,于氢及含添加 硷性氮 之氢卤化物清除剂存在下,于加压及升高温度下, 并经历 足够将含卤化物之有机化合物中之卤化物转成氢 卤酸之时 间,暴露于催化剂,该催化剂可于氢气存在下将含 卤化物 之有机化合物中之卤化物转成氢卤酸者:及使用氢 卤化物 清除剂于压力及升高温度下中和如此生成的氢卤 酸,因而 生成大体不会沈淀在催化剂上的氢卤酸中和产物 。2. 如申请专利范围第1项之方法,其又包括:使用 卤化氢 清除剂中和任何催化剂酸位置。3. 如申请专利范 围第1项之方法,其又包括:由催化剂去 除暴露的溶剂;及由暴露的溶剂分离非溶剂物质。 4. 如申请专利范围第1项之方法,其中该方法又包 括:由 催化剂去除暴露的溶剂;及由暴露的溶剂分离非溶 剂物质 。5. 如申请专利范围第1项之方法,其中该中和使 用卤化氢 清除剂生成的氢卤酸,导致中和产物包括选自气化 卤化铵 和溶解的氨和气态氢卤酸之中和产物;及该方法又 包括: 由催化剂去除暴露的溶剂;及由暴露的溶剂分离非 溶剂物 质。6. 如申请专利范围第1项之方法,其中该压力 系于0.1MPa -50 MPa之范围及升温系于200-550℃之范围。7. 如申 请专利范围第1项之方法,其中该压力系于1MPa- 10 MPa之范围及升温系于275-375℃之范围。8. 如申请 专利范围第1项之方法,其中该溶剂包括变压器 油。9. 如申请专利范围第1项之方法,其中该卤化 物系选自氟 化物,氯化物,溴化物和碘化物。10. 如申请专利范 围第1项之方法,其中该卤化物为氯化 物。11. 如申请专利范围第1项之方法,其中该卤化 氢清除剂 包括氨。12. 如申请专利范围第1项之方法,其中该 压力系于1MPa- 10 MPa之范围及升温系于300-375℃之范围,溶剂包括 变 压器油,卤化物为氯化物,及卤化氢清除剂包括氨 。13. 如申请专利范围第1项之方法,其中该压力和 升温维 持于中和产物大体呈气相或解离于气相之程度,故 催化剂 保持大体不受中和产物污染。14. 一种同时由溶剂 内之含卤化物之有机化合物中去除卤 化物及还原含氧有机化合物之方法,该方法包括: 将溶剂内之含卤化物之有机化合物及含氧有机化 合物,于 氢及含添加硷性氮之卤化氢清除剂存在下暴露于 催化剂, 该催化剂于氢气存在下可: () 转化含卤化氢之有机化合物中之卤化物成氢 卤酸; 及 () 还原含氧有机化合物; 反应系于压力及升高温度下经历足够时间: (a) 转化含卤化物之有机化合物中之卤化物成氢卤 酸;及 (b) 还原含氧有机化合物; 及使用卤化氢清除剂于压力及升高温度下中和(a) 生成的 氢卤酸,因而生成大体不会沈淀在催化剂上的氢卤 酸中和 产物。15. 如申请专利范围第14项之方法,其又包括 :使用卤化 氢清除剂中和任何催化剂酸位置。16. 如申请专利 范围第14项之方法,其又包括:由催化剂 去除暴露的溶剂;及由暴露的溶剂分离非溶剂物质 。17. 如申请专利范围第14项之方法,其中该方法又 包括: 由催化剂去除暴露的溶剂;及由暴露的溶剂分离非 溶剂物 质。18. 如申请专利范围第14项之方法,其中该中和 使用卤化 氢清除剂生成的氢卤酸,导致中和产物包括选自气 化卤化 铵和溶解的氨和气态氢卤酸之中和产物;及该方法 又包括 :由催化剂去除暴露的溶剂;及由暴露的溶剂分离 非溶剂 物质。19. 如申请专利范围第14项之方法,其中该压 力系于 0.1 MPa-50 MPa之范围及升温系于200-550℃之范围。20. 如申请专利范围第14项之方法,其中该压力系于1MPa -10 MPa之范围及升温系于275-375℃之范围。21. 如申 请专利范围第14项之方法,其中该溶剂包括变压 器油。22. 如申请专利范围第14项之方法,其中该卤 化物系选自 氟化物,氯化物,溴化物和碘化物。23. 如申请专利 范围第14项之方法,其中该卤化物为氯化 物。24. 如申请专利范围第14项之方法,其中该卤化 氢清除剂 包括氨。25. 如申请专利范围第14项之方法,其中该 压力系于1MPa -10 MPa之范围及升温系于300-375℃之范围,溶剂包括 变 压器油,卤化物为氯化物,及卤化氢清除剂包括氨 。26. 如申请专利范围第14项之方法,其中该压力和 升温维 持于中和产物大体呈气相或解离于气相之程度,故 催化剂 保持大体不受中和产物污染。27. 一种由含卤化物 之有机化合物中去除卤化物之方法, 该方法包括: 溶解含卤化物之有机化合物于溶剂; 将含有含卤化物之有机化合物溶解于其中的溶剂, 于氢及 含添加硷性氮之卤化氢清除剂存在下,暴露于可于 氢存在 下转化含卤化物之有机化合物中之卤化物成氢卤 酸之催化 剂,暴露之压力及升高温度及时间足够将含卤化物 之有机 化合物中之卤化物转成氢卤酸者;及 使用卤化氢清除剂于压力及升高温度下中和如此 生成的氢 卤酸,因此生成大体不会沈淀于催化剂上的氢卤酸 中和产 物。28. 如申请专利范围第27项之方法,其又包括: 使用卤化 氢清除剂中和任何催化剂酸位置。29. 如申请专利 范围第27项之方法,其又包括:由催化剂 去除暴露的溶剂;及由暴露的溶剂分离非溶剂物质 。30. 如申请专利范围第27项之方法,其中该方法又 包括: 由催化剂去除暴露的溶剂;及由暴露的溶剂分离非 溶剂物 质。31. 如申请专利范围第27项之方法,其中该中和 使用卤化 氢清除剂生成的氢卤酸,导致中和产物包括选自气 化卤化 铵和溶解的氨和气态氢卤酸之中和产物;及该方法 又包括 :由催化剂去除暴露的溶剂;及由暴露的溶剂分离 非溶剂 物质。32. 如申请专利范围第27项之方法,其中该压 力系于 0.1 MPa-50 MPa之范围及升温系于200-550℃之范图。33. 如申请专利范围第27项之方法,其中该压力系于1MPa -10 MPa之范围及升温系于275-375℃之范围。34. 如申 请专利范围第27项之方法,其中该溶剂包括变压 器油。35. 如申请专利范围第27项之方法,其中该卤 化物系选自 氟化物,氯化物,溴化物和碘化物。36. 如申请专利 范围第27项之方法,其中该卤化物为氯化 物。37. 如申请专利范围第27项之方法,其中该卤化 氢清除剂 包括氨。38. 如申请专利范围第27项之方法,其中该 压力系于1MPa -10 MPa之范围及升温系于300-375℃之范围,溶剂包括 变 压器油,卤化物为氯化物,及卤化氢清除剂包括氨 。39. 如申请专利范围第27项之方法,其中该压力和 升温维 持于中和产物大体呈气相或解离于气相之程度,故 催化剂 保持大体不受中和产物污染。40. 一种于溶剂内还 原含氧有机化合物之方法,该方法包 括: 将溶剂内之含氧有机化合物,于氢及含添加硷性氮 之酸清 除剂存在下,暴露于可于氢气存在下还原含氧有机 化合物 之催化剂;暴露压力及升高温度及时间足够:还原 含氧有 机化合物者;及 使用酸清除剂于压力及升高温度下,中和暴露于溶 剂内之 任何酸及任何催化剂酸位置,因而生成大体不会沈 淀于催 化剂上的酸中和产物。41. 如申请专利范围第40项 之方法,其又包括:由催化剂 去除暴露的溶剂;及由暴露的溶剂分离非溶剂物质 。42. 如申请专利范围第40项之方法,其中该压力系 于 0.1 MPa-50 MPa之范围及升温系于200-550℃之范围。43. 如申请专利范围第40项之方法,其中该压力系于1MPa -10 MPa之范围及升温系于275-375℃之范围。44. 如申 请专利范围第40项之方法,其中该溶剂包括变压 器油。45. 如申请专利范围第40项之方法,其中该卤 化物系选自 氟化物,氯化物,溴化物和碘化物。46. 如申请专利 范围第40项之方法,其中该卤化物为氯化 物。47. 如申请专利范围第40项之方法,其中该酸清 除剂包括 氨。48. 如申请专利范围第40项之方法,其中该压力 和升温维 持于中和产物大体呈气相或解离于气相之程度,故 催化剂 保持大体不受中和产物污染。49. 一种恢复电气性 质受损之用过的变电器油之电气性质 之方法,包括下列步骤: (a) 将该用过的变压器油与氢气及含添加硷性氮之 酸清除 剂存在下暴露于催化剂,该催化剂可于氢气存在下 : () 转化用过的变压器油中之卤化物成氢卤酸;及 () 还原用过的变压器油中之含氧有机化合物;反 应条 件及暴露时间系足够恢复电压器油之电气性质; (b) 使用酸中和剂于压力及升高温度中和(a)生成之 氢卤 酸或其他酸,因而生成大体不会沈淀于催化剂上的 酸中和 产物;及 (c) 回收由步骤(a)所得已经再生的变压器油。50. 如申请专利范围第49项之方法,其中该压力和升温 维 持于中和产物大体呈气相或解离于气相之程度,故 催化剂 保持大体不受中和产物污染。51. 一种大体破坏含 多氯联苯之用过的变压器油中之多氯 联苯之方法,包括下列步骤: (a) 将用过的变压器于氢及含添加硷性氮之酸清除 剂存在 下暴露于催化剂,该催化剂可于氢气存在下将多氯 联苯中 之氯转成氢氯酸,反应条件及暴露时间系足够大体 破坏多 氯联苯; (b) 使用酸清除剂与压力及升高之温度中和(a)生成 之氢 卤酸或其他酸,因而生成大体不会沈淀于催化剂上 的酸中 和产物;及 (c) 回收由步骤(a)所得已经再生的变压器油。52. 如申请专利范围第51项之方法,其中该压力和升温 维 持于中和产物大体呈气相或解离于气相之程度,故 催化剂 保持大体不受中和产物污染。图示简单说明: 第1图示意阐明同时由用过的变压器进料油中所含 含氯有 机化合物去除氯及还原含氧有机化合物之系统; 第2图说明氯化铵于3.5 MPa压力成进料油中氯含量 之函数 沈淀之温度; 第3图示意说明去除氯化烃之流程图; 第4图为氢消耗相对于产物氯含量之图—第2回合; 第5图为氢消耗相对于介电散逸因数之图—第2回 合; 第6图为氢消耗相对于电阻系数倒数之图—第2回 合; 第7图为产物硫含量相对于流上时间之图—第4回 合; 第8图为产物氮含量相对于流上时间之图—第4回 合; 第9图为产物氯含量相对于流上时间之图—第4回 合; 第10图为介电散逸因数相对于流上时间之图—第4 回合; 第11图为介电强度相对于流上时间之图—第4回合; 第12图为表面张力相对于流上时间之图—第4回合; 第13图为电阻系数相对于流上时间之图—第4回合; 第14图示意阐明各实验所用试验工厂系统;及 |
