发明名称 Doppelte Heteroübergang-AlGaAs-Elektrolumineszierende Diode mit P-Typ nach oben
摘要
申请公布号 DE68927272(D1) 申请公布日期 1996.10.31
申请号 DE19896027272 申请日期 1989.07.03
申请人 HEWLETT-PACKARD CO., PALO ALTO, CALIF., US 发明人 SNYDER, WAYNE L., PALO ALTO, CALIFORNIA 94306, US;DEFEVERE, DENNIS C., PALO ALTO, CALIFORNIA 94303, US;STERANKA, FRANK M., SAN JOSE CALIFORNIA 95120, US;TU, CHIN-WANG, CUPERTINO, CALIFORNIA 95014, US
分类号 H01L33/00;H01L33/30;(IPC1-7):H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人
主权项
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