发明名称 |
芯片型厚膜电容器及其制造方法 |
摘要 |
提供一种芯片型厚膜电容器,该电容器包括一个用作基板和具有上表面(11a)的绝缘芯片(11)。在该芯片的上表面(11a)上形成第一引线电极(12)和与第一引线电极(12)隔开的第二引线电极(13)。在该芯片的上表面(11a)上也形成一个与第一引线电极(12)电导通的第一电容器电极(14)。在该芯片的上表面(11a)上还形成一个辅助电极(20),辅助电极(20)与第二引线电极(13)电导通但与第一电容器电极(14)隔开一个预定距离(D1)。在第一电容器电极(14)上形成一个介质层(15),在该介质层(15)上形成一个与辅助电极(20)电导通的第二电容器电极(16)。 |
申请公布号 |
CN1134759A |
申请公布日期 |
1996.10.30 |
申请号 |
CN95190820.0 |
申请日期 |
1995.08.23 |
申请人 |
罗姆股份有限公司 |
发明人 |
花村敏裕;蒲原滋 |
分类号 |
H01G4/252;H01G4/40;H01G4/33;H01G4/06 |
主分类号 |
H01G4/252 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
程天正;马铁良 |
主权项 |
1.一种芯片型厚膜电容器,其特征包括:一个用作基板并具有一个上表面的绝缘芯片;一个在该芯片上表面上形成的第一引线电极;一个在该芯片上表面上形成的、与第一引线电极隔开的第二引线电极;一个在该芯片上表面上形成的第一电容器电极,该第一电容器电极是电连接到第一引线电极但与第二引线电极电绝缘;一个在第一电容器电极上形成的介质层;一个在介质层上形成的第二电容器电极,该第二电容器电极是电连接到第二引线电极但与第一引线电极电绝缘;以及一个在该芯片上表面上形成的、与第一和第二引线电极之一电导通的辅助电极,该辅助电极与第一电容器电极隔开一个预定距离。 |
地址 |
日本京都市 |