READ-ONLY STORAGE CELL ARRANGEMENT AND PROCESS FOR ITS PRODUCTION

摘要

In einer Festwertspeicherzellenanordnung mit ersten Speicherzellen, die einen vertikalen MOS-Transistor umfassen, und mit zweiten Speicherzellen, die keinen vertikalen MOS-Transistor umfassen, sind die Speicherzellen entlang gegenüberliegenden Flanken von streifenförmigen, parallel verlaufenden Isolationsgräben (16) angeordnet. Breite und Abstand der Isolationsgräben (16) sind vorzugsweise gleich, so dass die Speicherzellenanordnung mit einem Platzbedarf pro Speicherzelle von 2F<2> realisierbar ist, wobei F die minimale Strukturgrösse in der jeweiligen Technologie ist.