发明名称 故障随机存取存贮器的再利用方法
摘要 本发明为一种故障随机存贮器的再利用方法,它是用两个三态门分别寻找出损坏在左半区、右半区的DRAM,开关的输出端接有DRAM,输入端接有可使能此DRAM的信号,控制端则接有此DRAM的最高位地址信号;另有两个可被高电位及低电位触发导通的三态门,可被高电位触发导通的三态门的输出端接有内部损坏在左侧的DRAM,而可被低电位触发导通的三态门的输出端接有内部损坏在右侧的DRAM。
申请公布号 CN1033112C 申请公布日期 1996.10.23
申请号 CN93109336.8 申请日期 1993.08.05
申请人 沈明东 发明人 沈明东
分类号 G11C21/00 主分类号 G11C21/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 范本国
主权项 1.一种故障随机存取存贮器的再利用方法,可将两组分别 损坏在左半区域及右半区域的存贮器重新组合,成为可再被使用 的存贮器,其特征在于其包括下列步骤: 首先,提供一电子线路以分别找寻出损坏在左半侧地址区域 及损坏在右半侧地址区域的RAM,此电子线路包括: 两个开关装置,此两开关装置的控制端可控制开关装置输 入、输出端的导通与否,其中一个可被高电位触发导通,另一个 则可被低电位触发导通,开关的输出端接有RAM,输入端接有 可使能(ENABLE)此RAM的信号,控制端则接有此RAM的最 高位地址信号; 当在可被高电位触发导通的开关串接一良好的RAM,而在 可被低电位触发导通的开关中接一损坏的RAM,而此损坏的 RAM仍能处理信号的读取动作时,则此损坏的RAM损坏在右 半侧; 当在可被低电位触发导通的开关串接一良好的RAM,而在 可被高电位触发导通的开关串接一损坏的RAM,而此损坏的 RAM仍能处理信号的读取动作时,是此损坏的RA则损坏在左 半侧; 其次,再提供两个分别可被高电位及低电位触发导通的开关 电路,其中可被高电位触发导通的开关的输出端接有内部损坏在 左侧的RAM,而可被低电位触发导通的开关的输出端则接有内 部损坏在右侧的RAM,此两个开关的输入端则接有可使能 (ENABLE)此RAM的信号,两个开关的控制端则接有此RAM 的最高位地址信号; 通过此方法,RAM的最高位地址信号就会使开关电路依次 通断,因此可依次使能两组RAM,使之成为可以再利用的一组 RAM。
地址 台湾省台北市