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发明名称 Method for fabricating a semiconductor device having a capacitor with polycrystalline silicon having micro roughness on the surface
摘要
申请公布号 EP0448374(B1) 申请公布日期 1996.10.23
申请号 EP19910302414 申请日期 1991.03.20
申请人 NEC CORPORATION 发明人 WATANABE, HIROHITO,;TATSUMI, TORU,
分类号 H01L21/02;H01L27/108;H01L29/92;(IPC1-7):H01L29/94;H01L29/04;H01L21/20 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
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