半导体元件互连方法

摘要

一种半导体元件之互连方法被揭示，其中一含铝之导电层被构成于一成形在基体之下层结构上。一绝缘层被形成于该导电层上。一个用以界定一开口被做成之部位的抗光型模被形成于该绝缘层上。然后，该绝缘层以该抗光型模做为一蚀刻掩蔽而用湿蚀刻加以等向性地蚀刻。在等向性蚀刻后所留的绝缘层以 RIE 被锥形蚀刻，以形成该开口。为了确保该导电层被该开口曝现，该因而产生的结构利用含氟碳气体与氧气之混合气体加以过度蚀刻。此因而产生的结构被用 RIE 溅射。在该含铝导电层上的绝缘层之蚀刻系利用该含氟碳气体完全地去除当该如经由孔之开口被形成时所产生的合成物或常性的副产生。

主权项

1. 一种半导体元件互连方法,其特征在于包含下列 步骤 : 在一下层结构形成一含铝导电层; 在该导电层形成一矽氧化物层; 形成一抗光型模其会曝现形成于有一开口被形成 于该矽氧 化物层上之部位上的矽氧化物层; 利用该抗光型模作为一蚀刻掩蔽以湿蚀刻等向性 地蚀刻绝 缘层之部分; 利用反应离子蚀刻来蚀刻该等向性蚀刻的绝缘层, 使得该 开口之直径向下形成锥形;以及 在该抗光对该RIE溅射的蚀刻比高于该矽氧化物层 的蚀刻 比、以一个1,500-2,000W的PF功率的条件,使用含氧量 70 %以上之O@ss2/CHF@ss3混合气体,以RIE溅射该因而产生 之结构。2. 如申请专利范围第1项所述之半导体元 件互连方法,其 特征在于,在锥形蚀刻之步骤后,进一步包含过度 蚀刻该 因而产生之结构的步骤,以确保导电层被该开口曝 现。3. 如申请专利范围第2项所述之半导体元件互 连方法,其 特征在于,其中该过度蚀刻步骤之实施条件为该抗 光对该 绝缘层的蚀刻选择比低于1,以确保一锥形效果。4. 如申请专利范围第2项所述之半导体元件互连方 法,其 特征在于,其中该过度蚀刻步骤系使用CF@ss4/O@ss2混 合 气体来实施。5. 如申请专利范围第1项所述之半导 体元件互连方法,其 中特征在于,在该形成导电层之步骤后,进一步包 含有于 该导电层上形成一钛氮化物层之步骤。图示简单 说明: 第1A至1E图为说明一由含铝材料做成之导电层上形 成一经 由孔的一般方法之断面图; 第2A至2F图为说明本发明半导体元件互连方法之实 施例的 断面图,以及 第3图为说明本发明半导体元件互连方法之另一个 实施例