| 主权项 |
1. 一种积体电路之电浆洗涤技术(Plasma Purge Technology),系在【主要电浆反应】结束后,增加一个 【次要电浆反应】,而所述【次要电浆反应】之射 频功率 (Radio Frequency Power)和反应室压力(Chamber Pressure)都比所述【主要电浆反应】低,并且,在【 次 要电浆反应】过程,必需通以钝气(Inert Gas)或氧气, 作为洗涤之用。2. 如申请专利范围第1项之方法, 其中所述之【电浆反应 】,系指电浆蚀刻反应,例如,活性离子式电浆蚀刻( Reactive Ion Etching;RIE)、磁场增强式活性离子式电 浆蚀刻(Magnetic Enhanced Reactive Ion Etching; MERIE)或ICP等之高浓度电浆蚀刻或电子回旋共振电 浆蚀 刻(Electron Cyclotron Resonance;ECR)等。3. 如申请专利范 围第1项之方法,其中所述之【电浆反应 】,系指电浆薄膜沉积反应,例如,电浆增强式化学 气相 沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)等。4. 如申请专利范围第1项之方法,其中所 述之【次要电浆 反应】,大于或等于一个。5. 如申请专利范围第1 项之方法,其中所述之钝气,系指 氮气,或氧气,或氩气,或笑气(N@ss2O)或氦气或其他 氧 化性气体。6. 如申请专利范围第4项之方法,其中 所述之【次要电浆 反应】之反应室压力,可在第一步骤先提高反应室 压力至 比【主要电浆反应】之反应室压力还高,然后在【 次要电 浆反应】之第二步骤再降低反应室压力至比【主 要电浆反 应】之反应室压力还低。图示简单说明: 图一到图四是本发明之实施例的示意图。 图一是以射频功率(Radio Frequency Power)将电极板之 间的反应气体解离(Ionization)以形成电浆(Plasma)的 示 意图。 图二是在完成【主要电浆反应】后便将【射频功 率】关掉 (Turn-off),再将反应气体抽掉(Pump-off)而造成电浆蚀 刻反应室内的粒子(Particles)往下掉落,吸附在矽晶 圆 表面的示意图。 图三是加在阳极之【射频功率】越大,则掉落在矽 晶圆表 面的粒子数量越多之示意图。 图四是加在阳极之【射频功率】越小,则掉落在矽 晶圆表 |
