发明名称 METHOD OF FORMING BIPOLAR TRANSISTOR IN SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 JPH08274110(A) 申请公布日期 1996.10.18
申请号 JP19960066781 申请日期 1996.03.22
申请人 TEXAS INSTR INC <TI> 发明人 EFU SUKOTSUTO JIYONSON
分类号 H01L29/73;H01L21/331;H01L29/732;(IPC1-7):H01L21/331 主分类号 H01L29/73
代理机构 代理人
主权项
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