发明名称 |
Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontakts auf einer SiC-Oberfläche |
摘要 |
A coating (4) of carbon, preferably graphite, is first applied to the SiC surface (3). Said carbon coating (4) is then converted into a metal carbide coating (7) with a carbide-forming metal (Me). The SiC-metal carbide contact thus produced forms in particular a virtually perfect Schottky contact.
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申请公布号 |
DE19514081(A1) |
申请公布日期 |
1996.10.17 |
申请号 |
DE19951014081 |
申请日期 |
1995.04.13 |
申请人 |
SIEMENS AG, 80333 MUENCHEN, DE |
发明人 |
RUPP, ROLAND, DR., 91207 LAUF, DE |
分类号 |
H01L21/28;H01L21/04;(IPC1-7):H01L21/283 |
主分类号 |
H01L21/28 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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