发明名称 Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Kontakts auf einer SiC-Oberfläche
摘要 A coating (4) of carbon, preferably graphite, is first applied to the SiC surface (3). Said carbon coating (4) is then converted into a metal carbide coating (7) with a carbide-forming metal (Me). The SiC-metal carbide contact thus produced forms in particular a virtually perfect Schottky contact.
申请公布号 DE19514081(A1) 申请公布日期 1996.10.17
申请号 DE19951014081 申请日期 1995.04.13
申请人 SIEMENS AG, 80333 MUENCHEN, DE 发明人 RUPP, ROLAND, DR., 91207 LAUF, DE
分类号 H01L21/28;H01L21/04;(IPC1-7):H01L21/283 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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