Wet developable etch resistant photoresist for UV-exposure at wavelength below 200 nm

摘要

Es werden Photoresistzusanmmensetzungen beschrieben, welche in lösungsmittelfreiem Zustand für Strahlung einer Wellenlänge von ca. 193 nm ausreichend transparent sind und welche nichtaromatische chemische Gruppen enthalten, die sich unter Verfahrensbedingungen, bei denen eine bildhafte Struktur aus dem Resistmaterial nicht zerstört wird, in Gruppen mit aromatischen Strukturelementen überführen lassen (latent aromatische Gruppen). Eine bevorzugte Komponente mit latent aromatischen Gruppen ist Bicyclo[3.2.2]nona-6,8-dien-3-on. Resistbeschichtungen, die mit diesen Zusammensetzungen hergestellt sind, zeigen ein Stabilität bei der Plasmaätzung, die vergleichbar ist mit der Stabilität von herkömmlichen Resists basierend auf phenolischen Harzen.