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SE REVELA UN PROCESO MEJORADO PARA FORMAR UNA CAPA CONDUCTORA DE SILICIURO DE TITANIO EN UN DISCO DE SILICIO SEMICONDUCTOR UTILIZANDO UN UNICO PASO DE RECOCCION QUE INCLUYE LAS ETAPAS DE FORMAR UNA CAPA DE TITANIO SOBRE EL DISCO EN UNA CAMARA DE DEPOSICION AL VACIO EN LA AUSENCIA SUSTANCIAL DE GASES PORTADORES DE OXIGENO; TRANSFERIR EL DISCO REVESTIDO DE TITANIO A UNA CAMARA DE RECOCCION SELLADA SIN EXPONER SUSTANCIALMENTE LA CAPA DE TITANIO FORMADA A LOS GASES PORTADORES DE OXIGENO; Y LUEGO RECOCER EL DISCO DE SILICIO SEMICONDUCTOR REVESTIDO DE TITANIO EN UNA ATMOSFERA PORTADORA DE NITROGENO EN LA CAMARA DE RECOCCION SELLADA A UNA PRIMERA TEMPERATURA ENTRE 500 C Y 695 C APROXIMADAMENTE, CON AUSENCIA SUSTANCIAL DE GASES PORTADORES DE OXIGENO, PARA FORMAR UNA CAPA DE SILICIURO DE TITANIO Y UNA CAPA DE NITRURO DE TITANIO SOBRE EL SILICIURO DE TITANIO QUE INHIBE LA MIGRACION A LA SUPERFICIE DEL SILICIO QUE SIRVE DE BASE, Y PARA HACER REACCIONAR SUSTANCIALMENTE TODAS LAS REGIONES DE OXIDO SILICIO (SIO SUB 2) QUE SIRVE DE BASE AL TITANIO DEL DISCO PARA FORMAR NITRURO DE TITANIO, Y LUEGO AUMENTAR LA TEMPERATURA PARA FORMAR UNA FASE DE SILICIURO DE TITANIO MAS ESTABLE SIN RIESGO DE REACCION ENTRE EL OXIDO DE SILICONA Y EL TITANIO NO REACCIONADO EN EL.
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