| 主权项 |
1. 一种对机器加工处理过玻璃表面之处理方法,以保持使用黏合剂将光纤连接至该表面之接合,特别是当机器处理表面及连接之光纤在潮湿环境及相当高温度下时,处理步骤为机器加工处理过之表面在特定温度范围内藉由氢氟酸水溶液加以侵蚀;而后将受到侵蚀处理之表面使用矽烷黏接促进剂加以处理。2. 依据申请专利范围第1项处理方法,在其中氢氟酸溶液包含一种辅助性之酸。3. 依据申请专利范围第2项处理方法,在其中辅助性之酸为硫酸。4. 依据申请专利范围第1项处理方法,在其中矽烷黏接促进剂为双官能之可水解的矽烷黏接促进剂或其水解及部份缩合之产物。5. 依据申请专利范围第1项处理方法,在其中侵蚀处理一直持续到去除玻璃厚度为3至5微米。6. 依据申请专利范围第1项处理方法,在其中矽烷黏接促进剂为去水甘油氧烃基三醇氧矽烷(glycidoxyalkyltrialc-oxysilanes)及氨烃基三醇氧矽烷(aminoalkytrialcoxy-silanes)种类中选取出。7. 依据申请专利范围第1项处理方法,在其中黏接促进剂为去水甘油氧丙基三甲氧矽烷(glycidoxypropyltrialcoxy-silanes)。8. 依据申请专利范围第1项处理方法,在其中该处理方法实施于经过机器加工处理之玻璃表面,而该玻璃之二氧化矽含量为小于55%重量百分比。9. 依据申请专利范围第1项处理方法,在其中该处理方法实施于耦合器上。10. 依据申请专利范围第1项处理方法,在其中侵蚀处理前进行清洗之步骤。11. 依据申请专利范围第10项处理方法,在其中清洗步骤包含在清洁剂溶液中洗涤并用超音波搅拌,随后用清水清洗。12. 依据申请专利范围第1项处理方法,在其中氢氟酸水溶液特定温度范围为界于20℃及30℃之间。13. 依据申请专利范围第12项处理方法,在其中氢氟酸水溶液特定温度范围为20℃。14. 依据申请专利范围第13项处理方法,在其中氢氟酸水溶液特定温度范围为25℃。15. 依据申请专利范围第12项处理方法,在其中氢氟酸水溶液特定温度范围为30℃。16. 依据申请专利范围第1项处理方法,在其中经过机器处理之表面藉由氢氟酸水溶液侵蚀之步骤中更进一步包含将氢氟酸水溶液搅拌。17. 依据申请专利范围第16项处理方法,在其中氢氟酸水溶液特定温度范围为界于20℃及30℃之间。18. 依据申请专利范围第17项处理方法,在其中氢氟酸水溶液特定温度范围为20℃。19. 依据申请专利范围第17项处理方法,在其中氢氟酸水溶液特定温度范围为25℃。20. 依据申请专利范围第17项处理方法,在其中氢氟酸水 |
