| 主权项 |
1. 一种高密度平坦式光罩唯读记忆体的制造方法,包括下列步骤:a. 在一矽基底中预定的源极/汲极区形成复数个沟槽;b. 于该复数个沟槽表面形成一绝缘层;c. 于该绝缘层表面形成一第一复晶矽层;d. 去除部份该第一复晶矽层,使剩余之该第一复晶矽层留在该些沟槽中;e. 以氢氟酸去除该绝缘层;f. 在该矽基底,该第一复晶矽层与该绝缘层上方形成一第二复晶矽层;g. 蚀刻该第二复晶矽层,形成该源极/汲极区;h. 在该矽基底与该源极/汲极区表面分别形成一闸极氧化层与一第三复晶矽层;以及j. 定义该闸极氧化层与该第三复晶矽层,形成一闸极。2. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤a中之该复数个沟槽深度均是介于0.2-0.4m之间。3. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤b中之该绝缘层为氧化层。4. 如申请专利范围第3项所述之方法,其中该氧化层的厚度是介于500-800@fc(1.frch)8之间。5. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤d中去除该第一复晶矽层的方法是利用回蚀刻制程。图示简单说明:第1图绘示的是一种传统具有埋入式位元线的光罩唯读记忆体结构之上视示意图。第2图是沿着第1图的Ⅱ-Ⅱ线剖开之剖面示意图;以及第3A至3I图系根据本发明之一较佳实施例,一种高密度平 |
