| 主权项 |
1. 一种制作浮动闸唯读记忆体元件的方法,系包含:预备一面淡掺杂P@su-半导体基板;在该基板内形成掺杂的源极与汲极区;在该基板的表面形成一层隧道氧化层与场氧化物区;由第一复晶矽层制作成一PN接面浮动闸极,该第一复晶矽层包含一个位在隧道氧化层上的N掺杂区,与至少一个位在场氧化物区上,并与N掺杂区接邻的P掺杂区;形成一层闸极夹层电极绝缘层,覆盖该PN浮动闸极;由第二层复晶矽层制作成一复晶矽控制闸极,覆盖该闸极夹层电极绝缘层;形成另一层绝缘层,覆盖该控制闸极。2. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该PN接面的制作步骤系包含:在该隧道氧化层与场氧化物区上,沉积该第一复晶矽层;对该第一复晶矽层进行P型电容离子植入;在该场氧化物区上形成一层光罩,开窗位在该隧道氧化层上;经该光罩的开窗,对隧道氧化层上的第一复晶矽层,进行N型电容离子植入。3. 根据申请专利范围第1项之方法,其中该PN接面的制作步骤还包含:对该第一复晶矽层所进行的第一复晶矽层P型电容离子植入,系以全面无光罩P型植入,将P-硼离子植入到第一复晶矽层,剂量约在110@su1@su4/公分@su2至310@su1@su4/公分@su2之间;在元件上形成第一复晶矽层N型电容离子植入光罩,其上带有开窗,随即经该光罩的开窗,对部份的第一复晶矽层进行N型电容离子植入,所用N型离子系由砷与磷中选出,而在该隧道氧化层上形成N@su+掺杂区,N@su+离子的剂量约在110@su1@su5/公分@su2至310@su1@su5/公分@su2之间。4. 根据申请专利范围第3项之方法,其中为形成该PN接面所植入的N离子,植入的能量约在70k电子伏特至100k电子伏特之间,而P离子植入的能量约在30k电子伏特至50k电子伏特之间。5. 根据申请专利范围第4项之方法,其中:在第一复晶矽层内P杂质的总浓度约在610@su1@su8离子/公分@su3至210@su1@su9离子/公分@su3之间;在第一复晶矽层内N杂质的总浓度约在610@su1@su9离子/公分@su3至210@su2@su0离子/公分@su3之间。6. 根据申请专利范围第2项之方法,其中该PN接面的制作步骤还包含:对该第一复晶矽层所进行的第一复晶矽层P型电容离子植入,系以全面无光罩P型植入,将P@su-硼离子植入到第一复晶矽层,剂量约在110@su1@su4/公分@su2至310@su1@su4/公分@su2之间;在元件上形成第一复晶矽层N型电容离子植入光罩,其上带有开窗后,随即经该光罩的开窗,对部份的第一复晶矽层进行N型电容离子植入,所用N型离子系由砷与磷中选出,而在该隧道氧化层上形成N@su+掺杂区,N@su+离子的剂量约在110@su1@su5/公分@su2至310@su1@su5/公分@su2之间。7. 根据申请专利范围第6项之方法,其中为形成该PN接面所植入的N离子,植入的能量约在70k电子伏特至100k电子伏特之间,而P离子植入的能量约在30k电子伏特至50k电子伏特之间。8. 根据申请专利范围第7项之方法,其中:在第一复晶矽层内P杂质的总浓度约在610@su1@su8离子/公分@su3至210@su1@su9离子/公分@su3之间;在第一复晶矽层内N杂质的总浓度约在610@su1@su9离子/公分@su3至210@su2@su0离子/公分@su3之间。9. 根据申请专利范围第6项之方法,其中为形成该PN接面所植入的N离子,植入的能量约在70k电子伏特至100k电子伏特之间,而P离子植入的能量约在30k电子伏特至50k电子伏特之间;在第一复晶矽层内P杂质的总浓度约在610@su1@su8离子/公分@su3至210@su1@su9离子/公分@su3之间;在第一复晶矽层内N杂质的总浓度约在610@su1@su9离子/公分@su3至210@su2@su0离子/公分@su3之间。10. 根据申请专利范围第9项制作浮动闸唯读记忆体元件之方法,其中该第一复晶矽层厚度约在1500埃至2000埃之间。11. 一种制作浮动闸唯读记忆体元件的方法,系包含:预备一面淡掺杂P@su-半导体基板;在该基板内形成掺杂的源极与汲极区;在该基板的表面形成一层隧道氧化层与场氧化物区,并形成PN接面浮动闸极,由掺杂之复晶矽层作成,包含一个位在隧道氧化层上的N掺杂区,与至少一个位在场氧化物区上,并与N掺杂区接邻的P掺杂区;形成一层复晶矽夹层氧化物-氮化物-氧化物绝缘层,覆盖该PN浮动闸极;形成一复晶矽控制闸极,覆盖该氧化物-氮化物-氧化物绝缘层;形成另一层绝缘层,覆盖该控制闸极,其上带有通孔开,往下通至汲极区;在该另一层绝缘层上形成电性接触,往下延伸至通孔开窗内,而接触到汲极区。12. 根据申请专利范围第11项之方法,其中该PN接面的制作步骤系包含:在该隧道氧化层与场氧化物区上,沉积该第一复晶矽层;对该第一复晶矽层进行P型电容离子植入;在该场氧化物区上形成一层光罩,开窗位在该隧道氧化层上;经该光罩的开窗,对隧道氧化层上的第一复晶矽层,进行N型电容离子植入。13. 根据申请专利范围第11项之方法,其中该PN接面的制作步骤系另外包含:对该第一复晶矽层进行第一复晶矽层P型电容离子植入,系以全面无光罩P型植入,将P-硼离子植入到第一复晶矽层,剂量约在110@su1@su4/公分@su2至310@su1@su4/公分@su2之间;在元件上形成第一复晶矽层N型电容离子植入光罩,其上带有开窗,随即经该光罩的开窗,对部份的第一复晶矽层进行N型电容离子植入,所用N型离子系由砷与磷中选出,而在该隧道氧化层上形成N@su+掺杂区,N@su+离子的剂量约在110@su1@su5/公分@su2至310@su1@su5/公分@su2之间。14. 根据申请专利范围第13项之方法,其中为形成该PN接面所植入的N离子,植入的能量约在70k电子伏特至100k电子伏特之间,而P离子植入的能量约在30k电子伏特至50k电子伏特之间。15. 根据申请专利范围第14项之方法,其中在第一复晶矽层内P杂质的总浓度约在610@su1@su8离子/公分@su3至210@su1@su9离子/公分@su3之间;在第一复晶矽层内N杂质的总浓度约在610@su1@su9离子/公分@su3至210@su2@su0离子/公分@su3之间。16. 根据申请专利范围第12项之方法,其中该PN接面的制作步骤系另外包含:对该第一复晶矽层进行第一复晶矽层P型电容离子植入,系以全面无光罩P型植入,将P@su-硼离子植入到第一复晶矽层,剂量约在110@su1@su4/公分@su2至310@su1@su4/公分@su2之间;在元件上形成第一复晶矽层N型电容离子植入光罩,其上形成开窗后,随即经该光罩的开窗,对部份的第一复晶矽层进行N型电容离子植入,所用N型离子系由砷与磷中选出,而在该隧道氧化层上形成N@su+掺杂区,N@su+离子的剂量约在110@su1@su5/公分@su2至310@su1@su5/公分@su2之间。17. 根据申请专利范围第16项之方法,其中为形成该PN接面所植入的N离子,植入的能量约在70k电子伏特至100k电子伏特之间,而P离子植入的能量约在30k电子伏特至50k电子伏特之间。18. 根据申请专利范围第17项之方法,其中在第一复晶矽层内P杂质的总浓度约在610@su1@su8离子/公分@su3至210@su1@su9离子/公分@su3之间;在第一复晶矽层内N杂质的总浓度约在610@su1@su9离子/公分@su3至210@su2@su0离子/公分@su3之间。19. 根据申请专利范围第16项之方法,其中为形成该PN接面所植入的N离子,植入的能量约在70k电子伏特至100k电子伏特之间,而P离子植入的能量约在30k电子伏特至50k电子伏特之间;在第一复晶矽层内P杂质的总浓度约在610@su1@su8离子/公分@su3至210@su1@su9离子/公分@su3之间;在第一复晶矽层内N杂质的总浓度约在610@su1@su9离子/公分@su3至210@su2@su0离子/公分@su3之间。20. 根据申请专利范围第19项制作浮动闸唯读记忆体元件之方法,其中该第一复晶矽层厚度约在1500埃至2000埃之间。21. 一种浮动闸极唯读记忆体元件,系包含:一面淡掺杂P@su-半导体基板;在该基板内的掺杂源极区与掺杂汲极区;一层隧道氧化层与场氧化物区,位在基板表面上,和一个PN接面浮动闸极,由掺杂的复晶矽层作成,包含一个位在隧道氧化层上的N掺杂区,与至少一个位在场氧化物区上,并与该N掺杂区接邻而形成一个PN接面的P掺杂区;一层闸极夹层电极绝缘层,覆盖着该PN浮动闸极;一复晶矽控制闸极,覆盖该闸极夹层电极绝缘层;另一层绝缘层,覆盖该控制闸极。22. 根据申请专利范围第21项之元件,其中PN接面系包含:一层第一复晶矽层,位在该隧道氧化层与场氧化物区上;一P型电容,包含该第一复晶矽层中的一个离子植入区,位在该场氧化物区上方,形成一个植入于该第一复晶矽层内的N型电容植入区,而位于该隧道氧化物区上方。23. 根据申请专利范围第21项之元件,其中该PN接面系包含:一个第一复晶矽层P型电容离子植入区,系以全面无光罩P型植入,将P@su-硼离子植入到该第一复晶矽层,剂量约在110@su1@su4/公分@su2至310@su1@su4/公分@su2之间;一个第一复晶矽层N型电容离子植入区,系将由砷与磷中选出的N型离子,植入于第一复晶矽层的一部份,而在该隧道氧化层上形成N@su+掺杂区,N@su+离子的剂量约在110@su1@su5/公分@su2至310@su1@su5/公分@su2之间。24. 根据申请专利范围第23项之元件,其中该PN接面所植入的N离子,能量约在70k电子伏特至100k电子伏特之间,而P离子植入的能量约在30k电子伏特至50k电子伏特之间。25. 根据申请专利范围第24项之元件,其中在第一复晶矽层内P杂质的总浓度约在610@su1@su8离子/公分@su3至210@su1@su9离子/公分@su3之间;在第一复晶矽层内N杂质的总浓度约在610@su1@su9离子/公分@su3至210@su2@su0离子/公分@su3之间。26. 根据申请专利范围第22项之元件,其中该PN接面系包含:一个第一复晶矽层P型电容离子植入区,系以全面无光罩P型植入,将P@su-硼离子植入到第一复晶矽层,剂量约在110@su1@su4/公分@su2至310@su1@su4/公分@su2之间;一个第一复晶矽层N型电容离子植入区,系经光罩上的开窗,对部份的第一复晶矽层进行N型电容离子植入,所用N型离子系由砷与磷中选出,而在该隧道氧化层上形成N@su+掺杂区,N@su+离子的剂量约在110@su1@su5/公分@su2至310@su1@su5/公分@su2之间。27. 根据申请专利范围第26项之元件,其中该PN接面所植入的N离子,植入的能量约在70k电子伏特至100k电子伏特之间,而P离子植入的能量约在30k电子伏特至50k电子伏特之间。28. 根据申请专利范围第27项之元件,其中在第一复晶矽层内P杂质的总浓度约在610@su1@su8离子/公分@su3至210@su1@su9离子/公分@su3之间;在第一复晶矽层内N杂质的总浓度约在610@su1@su9离子/公分@su3至210@su2@su0离子/公分@su3之间。29. 根据申请专利范围第26项之元件,其中该PN接面所植入的N离子,植入的能量约在70k电子伏特至100k电子伏特之间,而P离子植入的能量约在30k电子伏特至50k电子伏特之间;在第一复晶矽层内P杂质的总浓度约在610@su1@su8离子/公分@su3至210@su1@su9离子/公分@su3之间;在第一复晶矽层内N杂质的总浓度约在610@su1@su9离子/公分@su3至210@su2@su0离子/公分@su3之间。30. 根据申请专利范围第29项之浮动闸唯读记忆体元件,其中该第一复晶矽层厚度约在1500埃至2000埃之间。31. 一种浮动闸极唯读记忆体元件,系包含:一面淡掺杂P@su-半导体基板;在该基板内的掺杂源极区与掺杂汲极区;一层隧道氧化层与场氧化物区,位在基板表面上,和一PN接面浮动闸极,由掺杂的复晶矽层作成,包含一个位在隧道氧化层上的N掺杂区,与至少一个位在场氧化物区上,并与该N掺杂区接邻而形成一个PN接面的P掺杂区;一层复晶矽夹层氧化物-氮化物-氧化物绝缘层,覆盖着该PN浮动闸极;一复晶矽控制闸极,覆盖该复晶矽夹层氧化物-氮化物-氧化物绝缘层;另一层绝缘层,覆盖该控制闸极,其上带有通孔开窗,往下通至汲极区;以及一电性接触层,覆盖在该另一层绝缘层上,并往下延伸至通孔开窗内,而接触到汲极区。32. 根据申请专利范围第31项之浮动闸唯读记忆体元件,系包含:一个控制闸极电压V@ssg,接至控制电极的第一节点N@ss1上;该第一节点N@ss1经由一个N型浮动闸电容C@ssf@ssn与一个第二节点N@ss2连接,该第二节点N@ss2由浮动闸电极的N@su+区组成,并经由一个电容C@ssg@ssd与汲极区连接,使浮动闸与汲极区耦合;该汲极区则接至汲极区电压V@ssd;该第二节点N@ss2经由基板与浮动闸之间的电容C@ssg@ssb与基板电压V@ssb相连,且经源极与浮动闸之间的电容C@ssg@sss与源极电压V@sss相连;该第一节点N@ss1经由P型浮动闸电容C@ssf@ssp与一第三节点N@ss3连接,该第三节点N@ss3则经由浮动闸中所形成的一个PN二极体与该第二节点N@ss2相连,并且该第三节点N@ss3另外又经由一个电容C@ssj与该第二节点N@ss2相连。图示简单说明:图1A的平面图,是根据本发明在一面P@su-掺杂基板所制作的拭除式可程式唯读记忆体半导体记忆元件,其中带有一个拭除式可程式唯读记忆体的细胞阵列。图1B是图1A的元件依直线1B-1B切开的横剖面图,其中半导体基板上有一隧道氧化层(闸极氧化层)与场氧化物区,其上的复晶矽层中具有PNP浮动闸电极的三区域(一P@su+掺杂区、一N@su+掺杂区、一P@su+掺杂区)。图1C是图1A的元件10依直线1C-1C切开的横剖面图,跨越了拭除式可程式唯读记忆体元件的浮动闸与控制闸电极,在元件基板内并有掺杂的源极与汲极。图2是图1A至1C元件的相等电路,说明通入的电压、结构中各个电容、与控制闸中的PN二极体。 |
