| 主权项 |
1. 一种用来消除快闪电子可抹除式可程式之唯读记忆体(PROM)装置之周期诱发电子陷补于穿隧氧化物中之方法,该方法包括步骤:于整个抹除期间,加相对之低正脉冲电压至该EEPROM装置之源极;和同时于整个抹除期间,加负倾斜电压至该EPPROM装置之控制闸极,以便完成从抹除期间开始至抹除期间结束之平均穿隧电场。2. 如申请专利范围第1项之方法,其中该低正脉冲电压具有+5伏特大小。3. 如申请专利范围第2项之方法,其中该负倾斜电压具有-5伏特之初始大小,并以约每10毫秒-0.09伏特之速率渐渐至-9.5伏特大小。4. 如申请专利范围第3项之方法,其中该负倾斜电压于500毫秒以后将维持于-9.5伏特。5. 一种用来消除快闪EEPROM装置之周期诱发电子陷补于穿隧氧化物中之方法,该方法包括步骤:于整个抹除期间,加相对之低负脉冲电压至该EEPROM装置之控制闸极;和同时于整个抹除期间,加正倾电压至该EEPROM装置之源极区,以便完成从抹除期间开始至抹除期间结束之平均穿隧电场。6. 如申请专利范围第5项之方法,其中该低负脉冲电压具有-5伏特之大小。7. 如申请专利范围第6项之方法,其中该正倾斜电压具有+5伏特之初始大小,并以约每10毫秒+0.05伏特之速率渐渐至+7.5伏特大小。8. 如申请专利范围第7项之方法,其中该正倾斜电压于500毫秒以后将维持于+7.5伏特。9. 如申请专利范围第5项之方法,其中该低负脉冲电压具有-9.5伏特之大小。10. 如申请专利范围第9项之方法,其中该正倾斜电压具有+2.5伏特之初始大小,并以约每10毫秒+0.04伏特之速率渐渐至+4.5伏特大小。11. 如申请专利范围第10项之方法,其中该正倾斜电压于500毫秒以后将维持于+4.5伏特。图示简单说明:第1图显示习用快闪EEPROM单元之横剖面图,显示于穿隧氧化物中之诱捕电子,并已标明为"先前技艺";第2图显示依照本发明之用于去除周期诱发电子陷捕方法之测试装置;第3(a)-3(c)图为依照先前技艺,将电压加至个别控制闸极、源极和漏极于整个抹除状况之波形。第4(a)-4(c)图为依照本发明,将电压加至个别控制闸极、源极和漏极于整个抹除状况之波形。第5图为对于常偏压状况和负倾斜状况带至带导通电流作为抹除时间函数之图形;第6图为当应用第3图之波形时,脉波数作为对周期函数之图形;第7图为当应用第4图之波形时,脉波数作为对周期函数之 |
