| 主权项 |
1. 一种高亮度发光二极体,依序包括:一第一电极;一第一导电型欧姆接触层;一第一导电型磷化铝镓铟束缚层;一磷化铝镓铟活性层;一第二导电型磷化铝镓铟束缚层;一第二导电型磷化镓层,其系经由晶片贴合的方式贴合至前述第二导电型磷化铝镓铟束缚层上;及一第二电极,用以和前述第一电极间产生电流,藉以使由前述第一导电型磷化铝镓铟束缚层,前述磷化铝镓铟活性层及前述第二导电型磷化铝镓铟束缚层所构成的双异质结构发光。2. 如申请专利范围第1项的高亮度发光二极体,更包括一导电透光氧化物薄膜,形成于前述第一电极和前述第一导电型欧姆接触层之间。3. 如申请专利范围第1项的高亮度发光二极体,其中,前述第二导电型磷化镓层为窗户层。4. 如申请专利范围第2项的高亮度发光二极体,其中,前述第二导电型磷化镓层为透明基板。5. 如申请专利范围第3项的高亮度发光二极体,其中,前述第一电极的面积大于前述第二电极的面积。6.如申请专利范围第4项的高亮度发光二极体,其中,前述第一电极的面积小于前述第二电极的面积。7.如申请专利范围第2项的高亮度发光二极体,其中,前述导电透光氧化物为氧化铟锡。8. 如申请专利范围第5项或第7项的高亮度发光二极体,其中,前述第一导电型欧姆接触层为与在形成前述磷化铝镓铟双异质结构时的砷化镓基板相匹配的材料。9. 如申请专利范围第5项或第7项的高亮度发光二极体,更包括一第二导电型缓冲层,形成于前述第二导电型磷化铝镓铟束缚层及前述第二导电型磷化镓层之间,藉以降低能量障壁,以利于前述第二导电型磷化镓层的晶片贴合。10. 如申请专利范围第8项的高亮度发光二极体,其中,前述第一导电型欧姆接触层可为砷化镓、砷化铝镓、磷化镓铟或磷砷化镓铟。11. 一种高亮度发光二极体的制作方法,包括下列步骤:() 在一砷化镓基板上依序形成一蚀刻移开层、一欧姆接触层及磷化铝镓铟双异质结构;() 利用晶片贴合技术将n型磷化镓层贴合至前述磷化铝镓铟双异质结构上;() 除去前述蚀刻移开层,藉以使前述砷化镓基板剥离;() 分别于前述欧姆接触层及前述n型磷化镓层上形成电极,并将形成于前述n型磷化镓层上的电极界定于一较小面积内。12. 一种高亮度发光二极体的制作方法,包括下列步骤:() 在一砷化镓基板上依序形成一蚀刻移开层、一欧姆接触层及磷化铝镓铟双异质结构;() 利用晶片贴合技术将n型磷化镓层贴合至前述磷化铝镓铟双异质结构上;() 除去前述蚀刻移开层,藉以使前述砷化镓基板剥离;() 于前述欧姆接触层上再形成一氧化铟锡电流分散层;() 分别于前述氧化铟锡电流分散层及前述n型磷化镓层上形成电极,并将形成于前述氧化铟锡电流分散层上的电极界定于一较小面积内。13. 如申请专利范围第11项或第12项的制作方法,其中,用以做为蚀刻移开层的材料为砷化铝。14. 如申请专利范围第11项或第12项的制作方法,其中,用以形成欧姆接触层的材料可为砷化镓、砷化铝镓、磷化镓铟或磷砷化镓铟。15. 如申请专利范围第11项或第12项的制作方法,更包括下列步骤:即在贴合n型磷化镓层至磷化铝镓铟双异质结构前,先在磷化铝镓铟双异质结构上形成一缓冲层,藉以降低n型磷化镓及磷化铝镓铟层间的能障。图示简单说明:第1图系绘示一习知的发光二极体之剖面图;第2图系绘示另一习知的发光二极体之剖面图;第3图系绘示另一习知的发光二极体之剖面图;第4图系绘示另一习知的发光二极体之剖面图;第5a至5d图系绘示用以说明本发明之一较佳实施例制程的剖面图; |
