| 主权项 |
1. 一个冷阴极场发射显示器包含: 一个绝缘基板; -个电阻层于上述基板上; -组分散式网状阴极导线于上述电阻层上; 第一介电层于上述薄膜电阻层及分散式网状阴极 导线上; -阴极导电层于上述第一介电层上形成块状图形, 做为块 状阴极导线; 一组闸极导线平形于上述块状阴极导线之上且与 上述之阴 极导线保持一定的角度; 许多接触洞口穿过上述第一介电层; 上述块状阴极导线经由上述接触洞口与上述之电 阻层连接 ; 第二介电层介于上述块状阴极导线和上述闸极导 线之间; 上述闸极导线上有许多开口穿过上述第二介电层 到达上述 块状阴极导线; 上述每一开口中有一角锥状场发射微尖端,角锥底 部连接 于上述阴极导线上并且上述角锥尖端与上述闸极 导线同高 。2.如专利申请范围第1项中所述的冷阴极场发射 显示器, 其所述电阻层材料为矽、矽铬合金、钽氮化物、 氧化铟锡 合金。3.如专利申请范围第1项中所述的冷阴极场 发射显示器, 其所述电阻层材料的阻値介于10@su7到10@su9 ohms/ square之间。4.如专利申请范围第1项中所述的冷阴 极场发射显示器, 其所述第一介电层的材料可为氧化矽、氧化铝、 氮化矽、 氧化铁、氧化铟、氧化锡或氧化钽。5.如专利申 请范围第1项中所述的冷阴极场发射显示器, 其所述第二介电层的材料可为氧化矽,氧化铝,氮 化矽、 氧化铁、氧化铟、氧化锡或氧化钽。6.一个冷阴 极场发射显示器包含: 一个绝缘基板; 许多薄膜电阻于上述绝缘基板上,每一薄膜电阻有 两个端 点; 许多相互平行、间隔排列的阴极导线位于上述绝 缘基板上 ,与上述薄膜电阻的一端连接; 第一介电层位于上述薄膜电阻与上述相互平行的 阴极导线 上; -阴极导电层于上述第一介电层上形成块状图形, 做为块 状阴极导线; 许多闸极导线平形于上述块状阴极导线之上且与 上述之阴 极导线保持一定的角度; 许多接触洞穿过上述第一介电层; 上述块状阴极导线经由上述接触洞口与上述之电 阻的另一 端层连接; 第二介电层位于上述闸极导线与上述阴极导电层 之间; 上述闸极导线上有许多开口穿过上述第二介电层 到达上述 阴极导电层; 上述开口中各有一角锥状场发射微尖端,角锥底部 连接于 上述阴极导电层上,角锥尖端与上述闸极导线同高 。7.如专利申请范围第6项中所述的冷阴极场发射 显示器, 其所述薄膜电阻层材料为矽、矽铬合金、钽氮化 物、氧化 铟锡合金。8.如专利申请范围第6项中所述的冷阴 极场发射显示器, 其所述薄膜电阻层材料的阻値介于10@su7到10@su9 ohms/ square之间。9.如专利申请范围第6项中所述的冷阴 极场发射显示器, 其所述第一介电层的材料为氧化矽、氧化铝、氮 化矽、氧 化铁、氧化铟、氧化锡、氧化钽。10.如专利申请 范围第6项中所述的冷阴极场发射显示器, 其所述第二介电层的材料为氧化矽,氧化铝,氮化 矽、氧 化铁、氧化铟、氧化锡、氧化钽。11.如专利申请 范围第6项中所述的冷阴极场发射显示器, 其所述的薄膜电阻在所述阴极导电层和所述接触 洞之间呈 蛇状。12.如专利申请范围第6项中所述的冷阴极场 发射显示器, 其所述的薄膜电阻在所述阴极导电层和所述接触 洞之间呈 现螺旋状。13. 一个冷阴极场发射显示器包含: 一个绝缘基板; 一导体层位于上述绝缘基板上; 一组由电阻物质所形成的网格状阴极电阻位于上 述导体层 上; 一层第一介电层具有与上述网格状电阻层相同的 厚度包围 上述网格状电阻层; 一层薄膜电阻镀于上述第一个介电层及网格状电 阻层上; 一层第二介电层位于上述薄膜电阻上; 许多块状阴极导线镀于上述第二介电层上; 许多相互平行的闸极导线位于上述阴极导线上而 与其保持 一定的角度; 许多接触洞穿过上述第二介电层,使上述块状阴极 导线经 由上述接触洞口与上述之电阻连接;; 一层第三介电层介于上述阴极导电层及上述闸极 导线之间 ; 上述闸极导线上有许多开口穿过上述第三导电层 到达上述 阴极导电层; 上述开口中各有一角锥状场发射微尖端,角锥底部 连接于 上述阴极导电层上,角锥尖端与上述闸极导线同高 。14.如专利申请范围第13项中所述的冷阴极场发 射显示器 ,其所述薄膜电阻材料为矽、矽铬合金、钽氮化物 、氧化 铟锡合金。15.如专利申请范围第13项中所述的冷 阴极场发射显示器 ,其所述薄膜电阻材料的阻値介于10@su7到10@su9 ohms/ square之间。16.如专利申请范围第13项中所述的冷 阴极场发射显示器 ,其所述第一介电层的材料可为氧化矽、氧化铝、 氮化矽 、氧化铁、氧化铟、氧化锡、氧化钽。17.如专利 申请范围第13项中所述的冷阴极场发射显示器 ,其所述第二介电层的材料可为氧化矽、氧化铝、 氮化矽 、氧化铁、氧化铟、氧化锡、氧化钽。18.如专利 申请范围第13项中所述的冷阴极场发射显示器 ,其所述第三介层的材料为氧化矽、氧化铝,氮化 矽、氧 化铁、氧化铟、氧化锡、氧化钽。19. 一个冷阴极 场发射显示器包含: 一个绝缘基板; 一导体层位于上述绝缘基板上; 一层第一介电层位于上述导体层上; 许多接触洞穿过上述第一介电层到达上述导体层; 许多薄膜电阻位于上述第一介电层上,每一薄膜电 阻有两 个端点,其中一个端点经由上述接触洞连接上述之 导体层 ; 一层第二介电层镀于上述薄膜电阻和上述第一介 电层上; 许多块状阴极导电层为于上述第一介电层上; 许多相互平行的闸极导线位于上述阴极导电层上 而与其保 持一定的角度; 许多接触洞穿过上述第二介电层,使得所述之块状 阴极导 电层与上述薄膜电阻层的第二个端点连接; 一层第三介电层介于上述阴极导电层及上述闸极 导线之间 ; 上述闸极导线上有许多开口穿过上述第三介电层 到达上述 阴极导电层; 上述开口中各有一角锥状场发射微尖端,角锥底部 连接于 上述阴极导电层上,角锥尖端与上述闸极导线同高 。20.如专利申请范围第19项中所述的冷阴极场发 射显示器 ,其所述薄膜电阻材料为矽、矽铬合金、钽氮化物 、氧化 铟锡合金。21.如专利申请范围第19项中所述的冷 阴极场发射显示器 ,其所述薄膜电阻材料的阻値介于10@su7到10@su9 ohms/ square之间。22.如专利申请范围第19项中所述的冷 阴极场发射显示器 ,其所述第一介电层的材料可为氧化矽、氧化铝、 氮化矽 、氧化铁、氧化铟、氧化锡、氧化钽。23.如专利 申请范围第19项中所述的冷阴极场发射显示器 ,其所述第二介电层的材料可为氧化矽、氧化铝、 氮化矽 、氧化铁、氧化铟、氧化锡、氧化钽。24.如专利 申请范围第19项中所述的冷阴极场发射显示器 ,其所述第三介电层的材料为氧化矽、氧化铝,氮 化矽、 氧化铁、氧化铟、氧化锡、氧化钽。25.如专利申 请范围第19项中所述的冷阴极场发射显示器 ,其所述的薄膜电阻,在所述两端点间呈蛇状。26. 如专利申请范围第19项中所述的冷阴极场发射显 示器 ,其所述的薄膜电阻,在所述两端点间呈螺旋状。27 .一种制作冷阴极场发射显示器的方法,其步骤包 含: 一个绝缘基板; 沉积-电阻层于上述基板上; 沉积-组分散式网状阴极导线于上述电阻层上; 沉积第一介电层于上述薄膜电阻层及分散式网状 阴极导线 上; 沉积-阴极导电层于上述第一介电层上并且图案化 形成块 状图形,做为块状阴极导线; 形成一组闸极导线平形于上述块状阴极导线之上 且与上述 之阴极导线保持一定的角度; 形成许多接触洞口穿过上述第一介电层,使得上述 块状阴 极导线经由上述接触洞口与上述之电阻层连接; 沉积第二介电层介于上述块状阴极导线和上述闸 极导线之 间; 上述闸极导线上形成许多开口穿过上述第二介电 层到达上 述块状阴极导线; 将表面平坦化; 上述每一开口中形成一角锥状场发射微尖端,角锥 底部连 接于上述阴极导线上并且上述角锥尖端与上述闸 极导线同 高。28.如专利申请范围第27项中所述的方法,其中 所述将表 面平坦化的方法是用化学机械抛光将第二介电层 磨平。图示简单说明: 图1,图.2 冷阴极场发射显示器相关专利中电阻层 结构 之示意图。 图3A,B 第一实施例示意图,限流电阻为分散式电阻 层 ,阴极导线为网状格状导电层。 图4A,B 第二实施例示意图,限流电阻为蛇状电阻层, 阴极导线为网状导电层。 图5 第三实施例示意图,限流电阻为螺旋状电阻层, 阴 极导线为线状导电层。 图6A,B 第四实施例示意图,限流电阻为分散式电阻 层 ,阴极导线在电阻层之下,以网格状接触与电阻层 连接。 图7A,B 第五实施例,限流电阻为蛇状电阻层,阴极导 线在电阻层之下,以接触洞与电阻层连接。 图8A,B 第六实施例,限流电阻为螺旋状电阻层,阴极 |
