发明名称 积体电路之电源电压侦测装置
摘要 一种电源电压侦测装置,可供侦测一电子系统其一电源之电压状态,以输出一逻辑信号指示该电源之电压状态。该侦测装置包含有第一个第一型金氧半导体元件,其第一源极/汲极连接至该电子系统之主电源;第二个第一型金氧半导体元件,其第一源极/汲极连接至该第一个第一型金氧半导体元件之第二源极/汲极;第一个第二型金氧半导体元件,其第一源极/汲极连接至该第二个第一型金氧半导体元件之第二源极/汲极,其第二源极/汲极连接至该系统之电源接地电位,且其闸极连接至该第一个与第二个第一型金氧半导体元件之闸极,并再接至该受测之电源;与第二个第二型金氧半导体元件,其第一源极/汲极连接至该第一个第二型金氧半导体元件之第一源极/汲极,其第二源汲/汲极连接至该第一个第二型金氧半导体元件之第二源极/汲极,且其闸极连接至该电子系统主电源。其中,第一个第二型金氧半导体元件之第一源极/汲极连接至一输出埠以提供指示该受侦测电源之电压状态的逻辑信号。
申请公布号 TW288607 申请公布日期 1996.10.11
申请号 TW084218652 申请日期 1995.12.06
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 李健雄
分类号 G01R31/28;G06F1/28 主分类号 G01R31/28
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1. 一种电源电压侦测装置,可供侦测一电子系统其 一电 源之电压状态,以输出一逻辑信号指示该电源之电 压状态 ,该侦测装置包含 第一个第一型金氧半导体元件,其第一源极/汲极 连接至 该电子系统之主电源; 第二个第一型金氧半导体元件,其第一源极/汲极 连接至 该第一个第一型金氧半导体元件之第二源极/汲极 ; 第一个第二型金氧半导体元件,其第一源极/汲连 接至该 第二个第一型金氧半导体元件之第二源极/汲极, 其第二 源极/汲极连接至该系统之电源接地电位,且其闸 极连接 至该第一个与第二个第一型金氧半导体元件之闸 极,并再 接至该受测之电源;与 第二个第二型金氧半导体元件,其第一源极/汲极 连接至 该第一个第二型金氧半导体元件之第一源极/汲极 ,其第 二源极/汲极连接至该第一个第二型金氧半导体元 件之第 二源极/汲极,且其闸极连接至该电子系统主电源; 其中该第一个第二型金氧半导体元件之第一源极/ 汲极连 接至一输出埠以提供指示该受侦测电源之电压状 态的该逻 辑信号。2. 如申请专利范围第1项之电源电压侦测 装置,更包含一 第一缓冲器连接至该输出埠以缓冲指示该受侦测 电源之电 压状态的该逻辑信号。3. 如申请专利范围第2项之 电源电压侦测装置,更包含一 第二缓冲器连接至该第一缓冲器之输出端以缓冲 指示该受 侦测电源之电压状态的该逻辑信号。4. 如申请专 利范围第3项之电源电压侦测装置,其中该第 一个与该第二个第一型金氧半导体元件系为P型金 氧半导 体电晶体,且该第一个与该第二个第二型金氧半导 体元件 系为N型金氧半导体电晶体。5. 如申请专利范围第 3项之电源电压侦测装置,其中该第 一个与该第二个第一型金氧半导体元件系为N型金 氧半导 体电晶体,且该第一个与该第二个第二型金氧半导 体元件 系为P型金氧半导体电晶体。6. 一种电源电压侦测 装置,包含多数个电源电压侦测单 元,可供侦测一电子系统其多数个电源之电压状态 ,以输 出对应多数个逻辑信号指示该些电源之电压状态, 该些多 数个电源电压侦测单元各被连接至一线性分压电 组之网路 上,每一个该些侦测单元各包含 第一个第一型金氧半导体元件,其第一源极/汲极 连接至 该电子系统之主电源; 第二个第一型金氧半导体元件,其第一源极/汲极 连接至 该第一个第一型金氧半导体元件之第二源极/汲极 ; 第一个第二型金氧半导体元件,其第一源极/汲极 连接至 该第二个第一型金氧半导体元件之第二源极/汲极 ,其第 二源/汲极连接至该系统之电源接地电位,且其闸 极连接 至该第一个与第二个第一型金氧半导体元件之闸 极,并再 接至对应之该一受测之电源;与 第二个第二型金氧半导体元件,其第一源极/汲极 连接至 该第一个第二型金氧半导体元件之第一源极/汲极 ,其第 二源极/汲极连接至该第一个第二型金氧半导体元 件之第 二源极/汲极,且其闸极连接至该电子系统主电源; 其中该第一个第二型金氧半导体元件之第一源极/ 汲极连 接至一输出埠以提供指示该受侦测电源之电压状 态的该逻 辑信号。7. 如申请专利范围第6项之电源电压侦测 装置,其中每一 个该些侦测单元更包含一第一缓冲器连接至其输 出埠以缓 冲指示该受侦测电源之电压状态的该逻辑信号。8 . 如申请专利范围第6项之电源电压侦测装置,其中 每一 个该些侦测单元更包含一第二缓冲器连接至该第 一缓冲器 之输出端以缓冲指示该受侦测电源之电压状态的 该逻辑信 号。9. 如申请专利范围第8项之电源电压侦测装置 ,其中每一 个该些侦测单元皆系被连接至串接于电子系统之 主电源与 接地电位之间的一电压分压网路上。10. 如申请专 利范围第9项之电源电压侦测装置,其中该 电压分压网路系为由多数个电阻所串联连接之电 压分压网 路。11. 如申请专利范围第10项之电源电压侦测装 置,其中该 电压分压网路更包含一开关装置可供控制该电源 电压侦测 装置之电源电压侦测之进行。12. 如申请专利范围 第11项之电源电压侦测装置,其中该 开关装置系为该第一型或第二型金氧半导体元件 。13. 如申请专利范围第12项之电源电压侦测装置, 其中该 第一型与第二型金氧半导体元件系分别为P型金氧 半导体 电晶体与N型金氧半导体电晶体。14. 如申请专利 范围第12项之电源电压侦测装置,其中该 第一型与第二型金氧半导体元件系分别为N型金氧 半导体 电晶体与P型金氧半导体电晶体。15. 如申请专利 范围第10项之电源电压侦测装置,更包含 一微处理器,一系统逻辑与一讯息显示装置,该微 处理器 控制该系统逻辑接收该些指示该些受侦测电源之 电压状态 的该些逻辑信号,以将该些指示该些受侦测电源之 电压状 态的该些逻辑信号以选定之格式或文字讯息显现 于该讯息 显示装置上。16. 如申请专利范围第15项之电源电 压侦测装置,其中该 讯息显示装置系为一液晶显示幕。17. 如申请专利 范围第15项之电源电压侦测装置,其中该 讯息显示装置系为一发光二极体显示单元。图示 简单说明: 图1为本创作之积体电路电源电压侦测装置一较佳 实施例 应用于一微处理器系统中之示意图; 图2为本创作之积体电路电源电压侦测装置一较佳 实施例 之电路图; 图3显示图2之积体电路电源电压侦测装置应用于 一电子系 统时其基本结构之电路图; 图4显示本创作积体电路电源电压侦测装置一实施 例中转 态电压相对于电源电压之关系曲线图; 图5为一电路图,其中显示数个本创作之积体电路 电源电 压侦测装置串接在一起以分别侦测数个电源电压 的状态; 与 图6中显示应用了三个本创作之积体电路电源电压 侦测装 置之一实施例来侦测三组预先选定的电源电压时 之曲线图
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