Integrierte Vorrichtung mit komplementären LDMOS Leistungstransistoren, CMOS und vertikalen, integrierten PNP-Strukturen in Mischtechnologie, die imstande ist, relativ hohen Speisespannungen zu widerstehen,申请号DE19906028354-传众专利搜索

发明名称	Integrierte Vorrichtung mit komplementären LDMOS Leistungstransistoren, CMOS und vertikalen, integrierten PNP-Strukturen in Mischtechnologie, die imstande ist, relativ hohen Speisespannungen zu widerstehen
摘要
申请公布号	DE69028354(D1)	申请公布日期	1996.10.10
申请号	DE19906028354	申请日期	1990.06.14
申请人	SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA, MAILAND/MILANO, IT	发明人	CONTIERO, CLAUDIO, I-20090 BUCCINASCO, IT;GALBIATI, PAOLA, I-20052 MONZA, IT;ZULLINO, LUCIA, I-20123 MILANO, IT
分类号	H01L29/73;H01L21/331;H01L21/8234;H01L21/8249;H01L27/06;H01L27/092;H01L29/732;H01L29/78;(IPC1-7):H01L27/06;H01L21/82	主分类号	H01L29/73
代理机构		代理人
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