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发明名称 Halbleiter-Kontaktöffnungsstruktur und -verfahren
摘要
申请公布号 DE69119826(T2) 申请公布日期 1996.10.02
申请号 DE1991619826T 申请日期 1991.03.25
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS, INC., CARROLLTON, TEX., US 发明人 LIOU, FU-TAI, CARROLLTON, TEXAS 75010, US;SPINNER, CHARLES RALPH, DALLAS, TEXAS 75248, US
分类号 H01L21/28;H01L21/285;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/485;H01L23/52;H01L23/522;H01L23/532;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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