发明名称 | 半圆柱磁控溅射阴极 | ||
摘要 | 一种半圆柱磁控溅射阴极,属于磁控溅射装置中的溅射源部件。在圆柱靶管中装入环状永磁铁(1)、导磁垫片(2)以及冷却管组成。本实用新型的特征是永磁铁及导磁垫片的形状为圆环或大半圆环,并将其组合构成单元磁体,在轴线两边形成不对称圆柱磁场。本实用新型既形成封闭的环形磁场,又使靶材料粒子的溅射具有一定方向性,适宜于大平面连续镀膜;形成的不对称溅射刻蚀区使得镀层均匀性好,靶材利用率高;对金属靶和粉末靶均可使用。 | ||
申请公布号 | CN2236500Y | 申请公布日期 | 1996.10.02 |
申请号 | CN95241617.4 | 申请日期 | 1995.05.19 |
申请人 | 四川大学 | 发明人 | 郭华聪 |
分类号 | C23C14/35 | 主分类号 | C23C14/35 |
代理机构 | 四川大学专利事务所 | 代理人 | 刘金蓉 |
主权项 | 1.一种柱状碰控溅射阴极,在圆柱靶管(3)中装入环状永磁铁(1)、导磁垫片(2)以及冷却管(4)组成,其特征是永磁铁及导磁垫片的形状为圆环或大半圆环,并将其组合构成一种在轴线两边形成不对称磁场的半圆柱磁控溅射阴极。 | ||
地址 | 610064四川省成都市九眼桥 |