发明名称 深亚微米X射线光刻装置
摘要 一种用于微电子器件制造的深亚微米X射线光刻装置包括一个脉冲等离子体软X射线源、一个台上有掩模和样片的光刻工作台、真空设备、相关电源及控制系统等,其特点在于:在软X光源和光刻工作台之间加一整体准平行束软X光透镜,该透镜为一个单一的、没有支撑部件的多孔玻璃固体,内有多个从所述固体一端贯通到另一端的X光导孔,且该玻璃固体由X光导孔壁自身熔合而成。本实用新型具有X射线利用率高、光刻离位失真和半影模糊小的优点。
申请公布号 CN2236665Y 申请公布日期 1996.10.02
申请号 CN96203533.5 申请日期 1996.02.17
申请人 中国航天工业总公司;北京师范大学 发明人 颜一鸣;王大椿;张胜基;赫业军;施修龄;潘世友;刘易成;伍克军
分类号 G03F7/00 主分类号 G03F7/00
代理机构 航空航天工业部航天专利事务所 代理人 王兰凤;安丽
主权项 1.一种深亚微米X射线光刻装置,包括一个脉冲等离子体软X射线源、一个台上有掩模和图形的光刻工作台、真空设备、相关电源及控制系统等,其特征在于:在软X光源和光刻工作台之间加一整体准平行束软X光透镜。
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