发明名称 |
深亚微米X射线光刻装置 |
摘要 |
一种用于微电子器件制造的深亚微米X射线光刻装置包括一个脉冲等离子体软X射线源、一个台上有掩模和样片的光刻工作台、真空设备、相关电源及控制系统等,其特点在于:在软X光源和光刻工作台之间加一整体准平行束软X光透镜,该透镜为一个单一的、没有支撑部件的多孔玻璃固体,内有多个从所述固体一端贯通到另一端的X光导孔,且该玻璃固体由X光导孔壁自身熔合而成。本实用新型具有X射线利用率高、光刻离位失真和半影模糊小的优点。 |
申请公布号 |
CN2236665Y |
申请公布日期 |
1996.10.02 |
申请号 |
CN96203533.5 |
申请日期 |
1996.02.17 |
申请人 |
中国航天工业总公司;北京师范大学 |
发明人 |
颜一鸣;王大椿;张胜基;赫业军;施修龄;潘世友;刘易成;伍克军 |
分类号 |
G03F7/00 |
主分类号 |
G03F7/00 |
代理机构 |
航空航天工业部航天专利事务所 |
代理人 |
王兰凤;安丽 |
主权项 |
1.一种深亚微米X射线光刻装置,包括一个脉冲等离子体软X射线源、一个台上有掩模和图形的光刻工作台、真空设备、相关电源及控制系统等,其特征在于:在软X光源和光刻工作台之间加一整体准平行束软X光透镜。 |
地址 |
100830北京市海淀区阜成路八号 |