Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleiteranordnung, wobei ein Halbleiterkörper mit einer obersten Schicht aus GaAs und einer darunter liegenden, InP enthaltenden Schicht in einem in SiCl4 und Ar erzeugten Plasma geätzt wird,申请号DE19926009019T-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Halbleiteranordnung, wobei ein Halbleiterkörper mit einer obersten Schicht aus GaAs und einer darunter liegenden, InP enthaltenden Schicht in einem in SiCl4 und Ar erzeugten Plasma geätzt wird
摘要
申请公布号	DE69209019(T2)	申请公布日期	1996.10.02
申请号	DE19926009019T	申请日期	1992.12.10
申请人	PHILIPS ELECTRONICS N.V., EINDHOVEN, NL	发明人	CHANG, CHANG VOEI JOENG MARIJKE, NL-5656 AA EINDHOVEN, NL;RIJPERS, JOHANNES CORNELIS NORBERTUS, NL-5656 AA EINDHOVEN, NL
分类号	H01L21/302;H01L21/306;H01L21/3065;H01L33/00;H01S5/00;(IPC1-7):H01L33/00	主分类号	H01L21/302
代理机构		代理人
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