| 主权项 |
1. 一种负离子产生器,主要包括:一壳体、一壳内的负离子产生电路、其中负离子产生电路可分为一电源供应部份、一振荡回路部份、一组功率放大器、一高压产生器驱动部份、一高压产生器,一倍压回路、一变压回授回路、一电压比较回路、一检知回路、一基准电压部份、一输出强度控制回路,及负离子产生器的两放电极所构成,电源供应部份输入电流至振荡回路部份,产生电气的振荡频率,并将此荡频率传到功率放大器,将电流放大,再送至高压产生器驱动部份,驱动高压产生器产生高压,经倍压回路的整流储能作用,于两放电极形成负离子放电,并将高压产生器产生的高压经变压回授回路,传回至振荡回路部份,供其产生共振步率,且经倍压回路整流后之电压经检知回路检知出电压大小,再经与基准电压部份的基准电压値进行比较,将其比较讯息送至输出强度控制回路,以控制负离子产生之输出电压;其特征在于:该高压产生器系为一压电陶磁变压器(PCT,Pizoeletric Ceramic Trans-former)的元件,压电陶磁变压器的输入端与高压产生器驱动部份连接,其一输出端与变压回授回路连接,其高压输出端与倍压回路连接,藉由压电陶磁变压器优异的电气升压特性,及体积小质轻的特点,使负离子产生器的作用稳定者。2. 如申请专利范围第1项之一种负离子产生器,其中,高压产生器驱动部份,由一驱动线圈及此线圈一次侧的三支接脚分别连接至功率放大器、电源供应部份及振荡回路部份,而其二次侧连接至压电陶磁变压器PCT形成的高压产生器之一输入端,及连接压变回授回路26的电路所构成者。3. 如申请专利范围第2项之一种负离子产生器,其中,振荡回路部份系以一振荡器的一次侧分别连接电阻到输出强度控制回路、两电容连接到功率放大器的电路所构成者。4. 如申请专利范围第3项之一种负离子产生器,其中,变压回授回路,由该振荡器的二次侧一端,连接压电陶磁变压器PCT一输出端,另端连接至驱动线圈的二次测线路所构成者。5. 如申请专利范围第4项之一种负离子产生器,其中,于功率放大器中,设有连通振荡回路与驱动线圈的两只电晶体及两电容,两电晶体的射极相接连,并连至上述振荡回路部份中的两电容相连的一端,此端点形成接地,于两电晶体的基极各连接振荡回路部份中的两电容未相接的另端,且该两端各分别串接功率放大器两电容至两电晶体的集极,再接往高压产生器驱动部份中驱动线圈的一次侧所构成者。6. 如申请专利范围第5项之一种负离子产生器,其中,高压产生后的倍压回路系于驱动线圈二次侧连接回授回路之一端,和压电陶磁变压器PCT的高压输出端之间,依次分别并连一二极体、一电容、一电阻,于该二极体与该电容之间,串接一二极体,由此构成者。7. 如申请专利范围第6项之一种负离子产生器,其中,于倍压回路电阻的两端分别接连至金属体的两放电极,以形成负离子的高压作用者。8. 如申请专利范围第7项之一种负离子产生器,其中,检知回路系为从倍压回路两二极体相连的一端,串接一二极体,一电阻,一二极体到基准电压部份,并于该电阻和该二极体之间,接连一电阻到接地,于此接地端并连至基准电压部份,此接地端并与二极体和接地之电阻未相连之一端,并连一电容所构成者。9. 如申请专利范围第8项之一种负离子产生器,其中,于基准电压部份中,连接前述检知电路的接地端,连接一稽纳二极体至电压比较回路,以形成基准电压者。10.如申请专利范围第9项之一种负离子产生器,其中,电压比较电路中,设有一电晶体,其基极连接至检知回路二极体输出之一端,射极连接至基准电压部份中稽纳二极体一端,集极接往输出强度控制回路,由此可于集极输出比较电压到输出强度控制回路者。11. 如申请专利范围第10项之一种负离子产生器,其中,强度控制回路中,设有一电晶体及一电阻,该电晶体的基极和集极之间连接该电阻,并接往电源供应部份,该基极并连接至比较回路中电晶体集极,而强度控制回路中电晶体的射极连接至振荡回路部份电阻的一端,由此构成强度控制回路者。图示简单说明:第1图为本创作负离子产生器之整体方块图。 |
